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1. (WO2018145515) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, SUBSTRAT D'AFFICHAGE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
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N° de publication : WO/2018/145515 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/115887
Date de publication : 16.08.2018 Date de dépôt international : 13.12.2017
CIB :
H01L 21/77 (2017.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
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Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
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Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
Déposants :
京东方科技集团股份有限公司 BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 朝阳区酒仙桥路10号 No. 10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015, CN
Inventeurs :
李小龙 LI, Xiaolong; CN
李栋 LI, Dong; CN
张慧娟 ZHANG, Huijuan; CN
刘政 LIU, Zheng; CN
Mandataire :
中国专利代理(香港)有限公司 CHINA PATENT AGENT (H.K.) LTD.; 中国香港特别行政区 湾仔港湾道23号鹰君中心22号楼 22/F, Great Eagle Centre 23 Harbour Road, Wanchai Hong Kong, CN
Données relatives à la priorité :
201710071073.309.02.2017CN
Titre (EN) THIN FILM TRANSISTOR AND FABRICATION METHOD THEREFOR, DISPLAY SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, SUBSTRAT D'AFFICHAGE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(ZH) 薄膜晶体管及其制作方法、显示基板和显示装置
Abrégé :
(EN) A thin film transistor and a fabrication method therefor, a display substrate and a display device, belonging to the field of display technology. The thin film transistor comprises a gate electrode, a source electrode, a drain electrode and an active layer (7), and the steps for forming the active layer (7) comprise: forming a pattern of a thermal insulation layer (5); forming a pattern of an amorphous silicon layer (6) on the thermal insulation layer (5), the pattern of the amorphous silicon layer (6) comprising a first part positioned on the thermal insulation layer (5) and a second part reaching outside of the thermal insulation layer (5); and processing the pattern of the amorphous silicon layer (6) by using a laser annealing process, so that the amorphous silicon layer (6) develops crystal grains along a direction from the second part to the first part so as to form the active layer (7) composed of polysilicon. Thus, the polysilicon active layer (7) having large grain size and good uniformity is prepared at a low cost, and the carrier mobility and threshold voltage stability of the thin film transistor are further improved.
(FR) L'invention concerne un transistor à couches minces et son procédé de fabrication, un substrat d'affichage et un dispositif d'affichage qui appartiennent au domaine de la technologie de l'affichage. Le transistor à couches minces comprend une électrode de grille, une électrode de source, une électrode de drain et une couche active (7), et les étapes de formation de la couche active (7) consistent à : former un motif d'une couche d'isolation thermique (5) ; former un motif d'une couche de silicium amorphe (6) sur la couche d'isolation thermique (5), le motif de la couche de silicium amorphe (6) comprenant une première partie positionnée sur la couche d'isolation thermique (5) et une seconde partie s'étendant au-delà de la couche d'isolation thermique (5) ; et traiter le motif de la couche de silicium amorphe (6) au moyen d'un procédé de recuit au laser, de sorte que la couche de silicium amorphe (6) développe des grains cristallins dans une direction allant de la seconde partie vers la première partie, afin de former la couche active (7) constituée de silicium polycristallin. On prépare ainsi à faible coût la couche active de polysilicium (7), qui présente une grande taille de grains et une bonne uniformité, la mobilité de porteuse ainsi que la stabilité de tension de seuil de ce transistor à couches minces étant en outre améliorées.
(ZH) 一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板和显示装置,属于显示技术领域。所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极和有源层(7),形成所述有源层(7)的步骤包括:形成保温层(5)的图形;在所述保温层(5)上形成非晶硅层(6)的图形,所述非晶硅层(6)的图形包括位于所述保温层(5)上的第一部分和超出所述保温层(5)之外的第二部分;利用激光退火工艺对所述非晶硅层(6)的图形进行处理使得所述非晶硅层(6)沿从所述第二部分到所述第一部分的方向生长晶粒,形成由多晶硅组成的所述有源层(7)。藉此,以较低的成本制备晶粒尺寸较大且均匀性较好的多晶硅有源层(7),进而提高薄膜晶体管的载流子迁移率和阈值电压的稳定性。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)