Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2018145411) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT HÉTÉROGÈNE À FILM MINCE D'INP
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/145411 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/094038
Date de publication : 16.08.2018 Date de dépôt international : 24.07.2017
CIB :
H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/683 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
683
pour le maintien ou la préhension
Déposants :
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 SHANGHAI INSTITUTE OF MICROSYSTEM AND INFORMATION TECHNOLOGY, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; 中国上海市 长宁区长宁路865号 No.865, Changning Road Changning District Shanghai 200050, CN
Inventeurs :
欧欣 OU, Xin; CN
林家杰 LIN, Jiajie; CN
游天桂 YOU, Tiangui; CN
黄凯 HUANG, Kai; CN
Mandataire :
上海光华专利事务所 J.Z.M.C. PATENT AND TRADEMARK LAW OFFICE; 中国上海市 杨浦区国定路335号5022室余明伟 YU Mingwei, Room 5022 No.335, GUO Ding Road Yangpu District Shanghai 200433, CN
Données relatives à la priorité :
201710071303.609.02.2017CN
Titre (EN) METHOD FOR FABRICATING INP THIN FILM HETEROGENEOUS SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT HÉTÉROGÈNE À FILM MINCE D'INP
(ZH) 一种InP薄膜异质衬底的制备方法
Abrégé :
(EN) Provided is a method for fabricating an InP thin film heterogeneous substrate, which at least comprises: providing an InP substrate, said InP substrate being provided with an implantation face (S1); performing ion co-implantation at the implantation face to form a defect layer at a preset depth of the InP substrate (S2); providing a heterogeneous substrate, and bonding the InP substrate with the heterogeneous substrate (S3), wherein the implantation face of the InP substrate is the bonding face; peeling a part of the InP substrate along the defect layer, such that a part of the InP substrate is transferred onto the heterogeneous substrate to form an InP thin film on the heterogeneous substrate, thereby obtaining an InP thin film heterogeneous substrate (S4). The above solution effectively reduces the dosage of single ion implantation required for peeling and transferring an InP thin film, and at the same time, avoids using the method of implanting at a below-zero low temperature in order to peel an InP material as discussed in prior art documents, thereby shortening a fabrication period and saving production cost. As low temperature or high temperature implantation is not needed, the additional energy consumption required for controlling implantation temperature may be reduced.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat hétérogène à film mince d'InP, consistant au moins à : utiliser un substrat à l'InP, ledit substrat à l'InP étant pourvu d'une face d'implantation (S1) ; exécuter une co-implantation ionique au niveau de la face d'implantation pour former une couche de défaut à une profondeur prédéfinie du substrat à l'InP (S2) ; obtenir un substrat hétérogène, et lier le substrat à l'InP au substrat hétérogène (S3), la face d'implantation du substrat à l' InP étant la face de liaison ; peler une partie du substrat à l'InP le long de la couche de défaut, de sorte qu'une partie du substrat à l'InP soit transférée sur le substrat hétérogène de façon à former un film mince d'InP sur le substrat hétérogène, ce qui permet d'obtenir un substrat hétérogène à film mince d'InP (S4). La solution susmentionnée réduit efficacement le dosage d'une unique implantation ionique nécessaire pour peler et transférer un film mince d'InP et, en même temps, évite l'utilisation du procédé d'implantation à une basse température négative pour peler un matériau d'InP décrit dans les documents de l'état de la technique, ce qui permet de raccourcir une période de fabrication et d'économiser du coût de production. Du fait qu'une implantation à basse température ou à haute température n'est pas nécessaire, l'invention permet de réduire la consommation d'énergie supplémentaire nécessaire pour commander la température d'implantation.
(ZH) 提供一种InP薄膜异质衬底的制备方法,至少包括:提供InP衬底,且所述InP衬底具有注入面(S1);于所述注入面进行离子共注入,以在所述InP衬底的预设深度处形成缺陷层(S2);提供异质衬底,将所述InP衬底与所述异质衬底进行键合(S3),所述InP衬底的注入面为键合面;沿所述缺陷层剥离部分所述InP衬底,使所述InP衬底的一部分转移至所述异质衬底上,以在所述异质衬底上形成InP薄膜,获得InP薄膜异质衬底(S4)。通过上述方案,有效地降低剥离及转移InP薄膜所需的单一离子注入的剂量,同时避免了文献中所报道的采用零度以下低温注入的方法剥离InP材料,进而缩短了制备周期,节约了生产成本;不需要低温或高温注入,从而降低控制注入温度所需的额外能耗。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)