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1. (WO2018144457) ÉLÉMENTS À CHANGEMENT RÉSISTIF SCELLÉS
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N° de publication : WO/2018/144457 N° de la demande internationale : PCT/US2018/015956
Date de publication : 09.08.2018 Date de dépôt international : 30.01.2018
CIB :
H01L 45/00 (2006.01) ,H01L 27/24 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45
Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
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Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
24
comprenant des composants à l'état solide pour le redressement, l'amplification ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface
Déposants :
NANTERO, INC. [US/US]; 25 Olympia Avenue Suite B Woburn, MA 01801, US
Inventeurs :
CLEAVELIN, Rinn, C.; US
BERTIN, Claude, L.; US
RUECKES, Thomas; US
Mandataire :
SQUIRES, Brett; US
Données relatives à la priorité :
15/486,03212.04.2017US
62/455,51806.02.2017US
Titre (EN) SEALED RESISTIVE CHANGE ELEMENTS
(FR) ÉLÉMENTS À CHANGEMENT RÉSISTIF SCELLÉS
Abrégé :
(EN) Methods for scaling dimensions of resistive change elements, resistive change element arrays of scalable resistive change elements, and sealed resistive change elements are disclosed. According to some aspects of the present disclosure the methods for scaling dimensions of resistive change elements and the resistive change element arrays of scalable resistive change elements reduce the impact of overlapping materials on the switching characteristics of resistive change elements. According to some aspects of the present disclosure the methods for scaling dimensions of resistive change elements include sealing surfaces of resistive change elements. According to some aspects of the present disclosure the methods for scaling dimensions of resistive change elements include forming barriers to copper migration in a copper back end of the line.
(FR) L'invention concerne des procédés de mise à l'échelle des dimensions d'éléments à changement résistif, des réseaux d'éléments à changement résistif d'éléments à changement résistif évolutifs, et des éléments à changement résistif scellés. Selon certains aspects de la présente invention, les procédés de mise à l'échelle des dimensions d'éléments à changement résistif et des réseaux d'éléments à changement résistif d'éléments à changement résistif évolutifs réduisent l'impact de matériaux se chevauchant sur les caractéristiques de commutation des éléments à changement résistif. Selon certains aspects de la présente invention, les procédés de mise à l'échelle des dimensions d'éléments à changement résistif consistent à sceller les surfaces des éléments à changement résistif. Selon certains aspects de la présente invention, les procédés de mise à l'échelle des dimensions d'éléments à changement résistif consistent à former des barrières à la migration de cuivre dans une extrémité arrière en cuivre de la ligne.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)