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1. (WO2018144195) GRAVURE DE CONTACT DIÉLECTRIQUE

Pub. No.:    WO/2018/144195    International Application No.:    PCT/US2018/012997
Publication Date: Fri Aug 10 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Jan 10 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 21/3065
H01L 21/3213
H01L 21/02
Applicants: LAM RESEARCH CORPORATION
Inventors: ROMM, Leonid
JENSEN, Alan
ZHANG, Xin
DELGADINO, Gerardo
Title: GRAVURE DE CONTACT DIÉLECTRIQUE
Abstract:
L'invention concerne un procédé de formation d'un dispositif à semi-conducteur dans une chambre de traitement au plasma. Une gravure de couche atomique grave sélectivement SiO par rapport à SiN et dépose un polymère fluoré. La couche de polymère fluoré est décapée, comprenant l'écoulement d'un gaz de décapage comprenant de l'oxygène dans la chambre de traitement au plasma, la formation d'un plasma à partir du gaz de décapage, et l'arrêt de l'écoulement du gaz de décapage. Une couche de SiN est sélectivement gravée par rapport à SiO et SiGe et Si.