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1. (WO2018144191) GRAVURE DE COUCHE ATOMIQUE ACTIVÉE PAR L'HYDROGÈNE
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N° de publication : WO/2018/144191 N° de la demande internationale : PCT/US2018/012986
Date de publication : 09.08.2018 Date de dépôt international : 09.01.2018
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01) ,H01L 21/67 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065
Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
Déposants :
LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway, M/S CA-1 Fremont, CA 94538, US
Inventeurs :
ZHANG, Xin; US
JENSEN, Alan; US
DELGADINO, Gerardo; US
LE, Daniel; US
Mandataire :
LEE, Michael; US
Données relatives à la priorité :
15/425,89906.02.2017US
Titre (EN) HYDROGEN ACTIVATED ATOMIC LAYER ETCHING
(FR) GRAVURE DE COUCHE ATOMIQUE ACTIVÉE PAR L'HYDROGÈNE
Abrégé :
(EN) A method for selectively etching SiO and SiN with respect to SiGe or Si of a structure is provided. A plurality of cycles of atomic layer etching is provided, where each cycle comprises a fluorinated polymer deposition phase and an activation phase. The fluorinated polymer deposition phase comprises flowing a fluorinated polymer deposition gas comprising a fluorocarbon gas, forming the fluorinated polymer deposition gas into a plasma, which deposits a fluorocarbon polymer layer on the structure, and stopping the flow of the fluorinated polymer deposition gas. The activation phase comprises flowing an activation gas comprising an inert bombardment gas and H2, forming the activation gas into a plasma, wherein the inert bombardment gas activates fluorine in the fluorinated polymer which with the plasma components from H2 cause SiO and SiN to be selectively etched with respect to SiGe and Si, and stopping the flow of the activation gas.
(FR) L'invention concerne un procédé de gravure sélective de SiO et de SiN par rapport au SiGe ou Si d'une structure. Le procédé consiste à réaliser une pluralité de cycles de gravure de couche atomique, chaque cycle comprenant une phase de dépôt de polymère fluoré et une phase d'activation. La phase de dépôt de polymère fluoré consiste à faire écouler un gaz de dépôt de polymère fluoré comprenant un gaz de fluorocarbone, transformer le gaz de dépôt de polymère fluoré en plasma, qui dépose une couche de polymère de fluorocarbone sur la structure, et arrêter l'écoulement du gaz de dépôt de polymère fluoré. La phase d'activation consiste à faire écouler un gaz d'activation comprenant un gaz de bombardement inerte et H2, transformer le gaz d'activation en plasma, le gaz de bombardement inerte activant le fluor dans le polymère fluoré qui, avec les composants de plasma provenant de H2, entraîne la gravure sélective de SiO et SiN par rapport au SiGe et au Si, et arrêter l'écoulement du gaz d'activation.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)