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1. (WO2018144069) NANOMATÉRIAUX BIDIMENSIONNELS DOPÉS AUX IONS
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N° de publication : WO/2018/144069 N° de la demande internationale : PCT/US2017/051027
Date de publication : 09.08.2018 Date de dépôt international : 11.09.2017
CIB :
G01N 27/70 (2006.01) ,H01J 41/02 (2006.01) ,H01J 47/02 (2006.01) ,H01J 49/02 (2006.01) ,B32B 5/16 (2006.01) ,B82Y 40/00 (2011.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
27
Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques
62
en recherchant l'ionisation des gaz; en recherchant les décharges électriques, p.ex. l'émission cathodique
68
Utilisation de la décharge électrique pour ioniser un gaz
70
et mesure de l'intensité ou de la tension électriques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
41
Tubes à décharge et moyens structurellement associés pour la mesure de la pression de gaz; Tubes à décharge pour l'évacuation par diffusion d'ions
02
Tubes à décharge et moyens structurellement associés pour la mesure de la pression de gaz
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
47
Tubes pour déterminer la présence, l'intensité, la densité ou l'énergie d'une radiation ou de particules
02
Chambres d'ionisation
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
49
Spectromètres pour particules ou tubes séparateurs de particules
02
Détails
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
32
PRODUITS STRATIFIÉS
B
PRODUITS STRATIFIÉS, c. à d. FAITS DE PLUSIEURS COUCHES DE FORME PLANE OU NON PLANE, p.ex. CELLULAIRE OU EN NID D'ABEILLES
5
Produits stratifiés caractérisés par l'hétérogénéité ou la structure physique d'une des couches
16
caractérisés par le fait qu'une des couches est formée de particules, p.ex. de copeaux, de fibres hachées, de poudre
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
82
NANOTECHNOLOGIE
Y
UTILISATION OU APPLICATIONS SPÉCIFIQUES DES NANOSTRUCTURES; MESURE OU ANALYSE DES NANOSTRUCTURES; FABRICATION OU TRAITEMENT DES NANOSTRUCTURES
40
Fabrication ou traitement des nanostructures
Déposants :
NORTHEASTERN UNIVERSITY [US/US]; 360 Huntington Avenue Boston, MA 02115, US
Inventeurs :
KAR, Swastik; US
HAO, Ji; US
RUBIN, Daniel; US
JUNG, Yung, Joon; US
Mandataire :
HYMEL, Lin, J.; US
HJORTH, Beverly, E.; US
MAHANTA, Sanjeev, K.; US
Données relatives à la priorité :
62/455,09606.02.2017US
Titre (EN) ION-DOPED TWO-DIMENSIONAL NANOMATERIALS
(FR) NANOMATÉRIAUX BIDIMENSIONNELS DOPÉS AUX IONS
Abrégé :
(EN) lon-doped two-dimensional nanomaterials are made by inducing electronic carriers (electrons and holes) in a two-dimensional material using a captured ion layer at the surface of the material. The captured ion layer is stabilized using a capping layer. The induction of electronic carriers works in atomically-thin two-dimensional materials, where it induces high carrier density of at least 1014 carriers/cm2. A variety of novel ion-doped nanomaterials and p-n junction-based nanoelectronic devices are made possible by the method.
(FR) L'invention concerne des nanomatériaux bidimensionnels dopés aux ions fabriqués par induction de porteuses électroniques (électrons et trous) dans un matériau bidimensionnel à l'aide d'une couche d'ions capturés à la surface du matériau. La couche d'ions capturés est stabilisée à l'aide d'une couche de recouvrement. L'induction de supports électroniques fonctionne dans des matériaux bidimensionnels atomiquement minces, où elle induit une densité de porteuses élevée d'au moins 1014 porteuses/cm2. Une variété de nouveaux nanomatériaux dopés aux ions et de dispositifs nanoélectroniques fondés sur la jonction p-n sont rendus possibles par le procédé.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)