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1. (WO2018143986) DISPOSITIFS DE RÉSEAU À POINTS QUANTIQUES
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N° de publication : WO/2018/143986 N° de la demande internationale : PCT/US2017/016130
Date de publication : 09.08.2018 Date de dépôt international : 02.02.2017
CIB :
H01L 49/00 (2006.01) ,H01L 29/775 (2006.01) ,H01L 29/66 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
49
Dispositifs à l'état solide non couverts par les groupes H01L27/-H01L47/109; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
775
avec un canal à gaz de porteurs de charge à une dimension, p.ex. FET à fil quantique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054-1549, US
Inventeurs :
GEORGE, Hubert C.; US
CLARKE, James S.; US
PILLARISETTY, Ravi; US
ROBERTS, Jeanette M.; US
THOMAS, Nicole K.; US
YOSCOVITS, Zachary R.; US
CAUDILLO, Roman; US
AMIN, Payam; US
Mandataire :
ZAGER, Laura A.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) QUANTUM DOT ARRAY DEVICES
(FR) DISPOSITIFS DE RÉSEAU À POINTS QUANTIQUES
Abrégé :
(EN) Disclosed herein are quantum dot devices, as well as related computing devices and methods. For example, in some embodiments, a quantum dot device may include: a plurality of pillars, wherein individual pillars include a quantum well layer, at least two of the pillars are spaced apart in a first dimension, at least two of the pillars are spaced apart in a second dimension, and the first and second dimensions are perpendicular; an insulating material between at least two of the pillars spaced apart in the first dimension and at least two of the pillars spaced apart in the second dimension; and a plurality of gates disposed above corresponding individual ones of the pillars.
(FR) La présente invention concerne des dispositifs à points quantiques, ainsi que des procédés et des dispositifs informatiques associés. Par exemple, dans certains modes de réalisation, un dispositif à points quantiques peut comprendre : une pluralité de piliers, des piliers individuels comprenant une couche de puits quantique, au moins deux des piliers étant espacés dans une première dimension, au moins deux des piliers étant espacés dans une seconde dimension, et les première et seconde dimensions étant perpendiculaires l'une à l'autre ; un matériau isolant entre au moins deux des piliers espacés dans la première dimension et au moins deux des piliers espacés dans la seconde dimension ; et une pluralité de grilles disposées au-dessus des piliers individuels correspondants des piliers.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)