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1. (WO2018143908) COUCHES D'OXYDE À DÉPÔT EN COUCHE ATOMIQUE DANS DES DISPOSITIFS D'ÉJECTION DE FLUIDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/143908 N° de la demande internationale : PCT/US2017/015706
Date de publication : 09.08.2018 Date de dépôt international : 31.01.2017
CIB :
B41J 2/05 (2006.01) ,B41J 2/16 (2006.01) ,H05B 3/12 (2006.01)
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
41
IMPRIMERIE; LIGNARDS; MACHINES À ÉCRIRE; TIMBRES
J
MACHINES À ÉCRIRE; MÉCANISMES D'IMPRESSION SÉLECTIVE, c. à d. MÉCANISMES IMPRIMANT AUTREMENT QUE PAR UTILISATION DE FORMES D'IMPRESSION; CORRECTION D'ERREURS TYPOGRAPHIQUES
2
Machines à écrire ou mécanismes d'impression sélective caractérisés par le procédé d'impression ou de marquage pour lequel ils sont conçus
005
caractérisés par la mise en contact sélective d'un liquide ou de particules avec un matériau d'impression
01
à jet d'encre
015
caractérisés par le procédé de formation du jet
04
en produisant à la demande des gouttelettes ou des particules séparées les unes des autres
045
par pression, p.ex. à l'aide de transducteurs électromécaniques
05
produites par application de chaleur
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
41
IMPRIMERIE; LIGNARDS; MACHINES À ÉCRIRE; TIMBRES
J
MACHINES À ÉCRIRE; MÉCANISMES D'IMPRESSION SÉLECTIVE, c. à d. MÉCANISMES IMPRIMANT AUTREMENT QUE PAR UTILISATION DE FORMES D'IMPRESSION; CORRECTION D'ERREURS TYPOGRAPHIQUES
2
Machines à écrire ou mécanismes d'impression sélective caractérisés par le procédé d'impression ou de marquage pour lequel ils sont conçus
005
caractérisés par la mise en contact sélective d'un liquide ou de particules avec un matériau d'impression
01
à jet d'encre
135
Ajutages
16
Fabrication d'ajutages
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
B
CHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
3
Chauffage par résistance ohmique
10
Eléments chauffants caractérisés par la composition ou la nature des matériaux ou par la disposition du conducteur
12
caractérisés par la composition ou la nature du matériau conducteur
Déposants : HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P.[US/US]; 11445 Compaq Center Drive W. Houston, TX 77070, US
Inventeurs : CHEN, Zhizhang; US
PUGLIESE, Roberto, A.; US
SHAARAWI, Mohammed, S.; US
Mandataire : MORRIS, Jordan, E.; US
HU, Dan C.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) ATOMIC LAYER DEPOSITION OXIDE LAYERS IN FLUID EJECTION DEVICES
(FR) COUCHES D'OXYDE À DÉPÔT EN COUCHE ATOMIQUE DANS DES DISPOSITIFS D'ÉJECTION DE FLUIDE
Abrégé :
(EN) In some examples, to form a fluid ejection device, a thermal resistor is formed on a substrate, a nitride layer is formed over the thermal resistor, and an oxide layer is formed over the nitride layer using atomic layer deposition (ALD) at a temperature greater than 250° Celsius, where the nitride layer and the oxide layer make up a passivation layer to protect the thermal resistor.
(FR) Selon certains exemples, pour former un dispositif d'éjection de fluide, une résistance thermique est formée sur un substrat, une couche de nitrure est formée sur la résistance thermique, et une couche d'oxyde est formée sur la couche de nitrure par dépôt en couche atomique (ALD) à une température supérieure à 250 °C, la couche de nitrure et la couche d'oxyde créant une couche de passivation pour protéger la résistance thermique.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)