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1. (WO2018143627) DISPOSITIF D'ÉMISSION/RÉCEPTION DE SIGNAL HAUTE FRÉQUENCE
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N° de publication : WO/2018/143627 N° de la demande internationale : PCT/KR2018/001233
Date de publication : 09.08.2018 Date de dépôt international : 29.01.2018
CIB :
H01Q 3/26 (2006.01) ,G02B 6/10 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
Q
ANTENNES
3
Dispositifs pour changer ou faire varier l'orientation ou la forme du diagramme de directivité des ondes rayonnées par une antenne ou un système d'antenne
26
faisant varier la phase relative ou l'amplitude relative et l'énergie d'excitation entre deux ou plusieurs éléments rayonnants actifs; faisant varier la distribution de l'énergie à travers une ouverture rayonnante
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
B
ÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
6
Guides de lumière; Détails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p.ex. des moyens de couplage
10
du type guide d'ondes optiques
Déposants :
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. [KR/KR]; 129, Samsung-ro, Yeongtong-gu Suwon-si Gyeonggi-do 16677, KR
Inventeurs :
MAKURIN, Mikhail Nikolaevich; RU
VILENSKIY, Artem Rudolfovitch; RU
Mandataire :
LEE, Keon-Joo; KR
KIM, Jeoung-Hoon; KR
Données relatives à la priorité :
10-2017-013416916.10.2017KR
201710313631.01.2017RU
Titre (EN) HIGH-FREQUENCY SIGNAL TRANSMISSION/RECEPTION DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'ÉMISSION/RÉCEPTION DE SIGNAL HAUTE FRÉQUENCE
Abrégé :
(EN) The present disclosure relates to radio engineering, and more specifically to high-frequency (HF) signal transmission/reception devices based on photoconductive switching elements. An HF signal transmission/reception device comprises a signal electrode with matching elements disposed along an edge thereof; a ground electrode, a dielectric layer between the signal electrode and the ground electrode, photoconductive elements(PE) each electrically connected to the signal electrode and the ground electrode and arranged in a grid, an excitation signal feed point, and load elements electrically connected to the matching elements. The photoconductive elements each have a switched-off state in the absence of a control light flux and a switched-on state in the presence of a control light flux, The switched-on photoconductive elements form a reflection profile of the signal supplied from the excitation signal feed point. The distance between adjacent photoconductive elements is less than half the wavelength of the excitation signal.
(FR) La présente invention concerne le domaine de l'ingénierie radio, et plus particulièrement des dispositifs d'émission/réception de signaux haute fréquence (HF) basés sur des éléments de commutation photoconducteurs. Un dispositif d'émission/réception de signal HF comprend une électrode de signal avec des éléments d'adaptation disposés le long d'un de ses bords ; une électrode de masse, une couche diélectrique entre l'électrode de signal et l'électrode de masse, des éléments photoconducteurs (PE) chacun électriquement connecté à l'électrode de signal et à l'électrode de masse et disposé selon une grille, un point d'alimentation de signal d'excitation, et des éléments de charge connectés électriquement aux éléments d'adaptation. Les éléments photoconducteurs ont chacun un état éteint en l'absence d'un flux lumineux de commande et un état allumé en présence d'un flux lumineux de commande, les éléments photoconducteurs commutés forment un profil de réflexion du signal fourni par le point d'alimentation de signal d'excitation. La distance entre les éléments photoconducteurs adjacents est inférieure à la moitié de la longueur d'onde du signal d'excitation.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)