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1. (WO2018143525) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À MICRO-RÉSEAU ET DISPOSITIF D'ÉCLAIRAGE
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N° de publication : WO/2018/143525 N° de la demande internationale : PCT/KR2017/007312
Date de publication : 09.08.2018 Date de dépôt international : 07.07.2017
CIB :
H01L 33/08 (2010.01) ,H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 27/15 (2006.01) ,H01L 33/38 (2010.01) ,H01L 33/20 (2010.01) ,H01L 33/62 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
08
ayant une pluralité de régions électroluminescentes, p.ex. couche électroluminescente discontinue latéralement ou région photoluminescente intégrée au sein du corps semi-conducteur
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
15
comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36
caractérisés par les électrodes
38
ayant une forme particulière
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
20
ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
62
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
Déposants :
순천대학교 산학협력단 INDUSTRY-ACADEMIC COOPERATION FOUNDATION OF SUNCHON NATIONAL UNIVERSITY [KR/KR]; 전라남도 순천시 중앙로 255 255, Jungang-ro, Suncheon-si, Jeollanam-do 57922, KR
Inventeurs :
곽준섭 KWAK, Joon Seop; KR
홍인열 HONG, In Yeol; KR
김태경 KIM, Tae Kyoung; KR
Mandataire :
안준형 AHN, Joon-Hyung; KR
Données relatives à la priorité :
10-2017-001496902.02.2017KR
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING MICRO ARRAY LIGHT EMITTING DIODE AND LIGHTING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À MICRO-RÉSEAU ET DISPOSITIF D'ÉCLAIRAGE
(KO) 마이크로 어레이 발광다이오드 제조방법 및 조명 장치
Abrégé :
(EN) The present invention suggests a method for manufacturing a micro array light emitting diode, comprising: a step for forming a semiconductor stacked structure by stacking an n-type semiconductor layer, an active layer, and a p-type semiconductor layer on a substrate; a step for forming a plurality of p-type electrodes so as to be arranged two-dimensionally apart from each other on the p-type semiconductor layer; and a step for forming an isolation part in the p-type semiconductor layer exposed between the plurality of p-type electrodes in a self-aligning manner.
(FR) La présente invention suggère un procédé de fabrication d'une diode électroluminescente à micro-réseau, comprenant : une étape de formation d'une structure empilée semiconductrice par empilement d'une couche semiconductrice de type n, d'une couche active et d'une couche semiconductrice de type p sur un substrat; une étape consistant à former une pluralité d'électrodes de type p de manière à être agencées de manière bidimensionnelle à l'écart l'une de l'autre sur la couche semiconductrice de type p; et une étape consistant à former une partie d'isolation dans la couche semiconductrice de type p exposée entre la pluralité d'électrodes de type p d'une manière à auto-alignement.
(KO) 본 발명은 기판 상에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 적층하여 반도체 적층구조물을 형성하는 과정; 상기 p형 반도체층 상에 서로 이격되어 2차원적으로 배열되도록 복수의 p형 전극을 형성하는 과정; 및 상기 복수의 p형 전극 사이로 노출된 p형 반도체층에 자가정렬 방식으로 아이솔레이션부를 형성하는 과정;을 포함하는 마이크로 어레이 발광다이오드 제조방법이 제시된다.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)