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1. (WO2018143470) CONJUGUÉ CÉRAMIQUE/ALUMINIUM, CARTE DE CIRCUIT IMPRIMÉ ISOLÉ, MODULE DE DEL, ÉLÉMENT CÉRAMIQUE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CONJUGUÉ CÉRAMIQUE/ALUMINIUM ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CARTE DE CIRCUIT IMPRIMÉ ISOLÉ
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N° de publication : WO/2018/143470 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/003957
Date de publication : 09.08.2018 Date de dépôt international : 06.02.2018
CIB :
C04B 37/00 (2006.01) ,B23K 1/00 (2006.01) ,H01L 23/12 (2006.01) ,H01L 23/15 (2006.01) ,H01L 33/62 (2010.01) ,H01L 33/64 (2010.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
04
CIMENTS; BÉTON; PIERRE ARTIFICIELLE; CÉRAMIQUES; RÉFRACTAIRES
B
CHAUX; MAGNÉSIE; SCORIES; CIMENTS; LEURS COMPOSITIONS, p.ex. MORTIERS, BÉTON OU MATÉRIAUX DE CONSTRUCTION SIMILAIRES; PIERRE ARTIFICIELLE; CÉRAMIQUES; RÉFRACTAIRES; TRAITEMENT DE LA PIERRE NATURELLE
37
Liaison des articles céramiques cuits avec d'autres articles céramiques cuits ou d'autres articles, par chauffage
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
23
MACHINES-OUTILS; TRAVAIL DES MÉTAUX NON PRÉVU AILLEURS
K
BRASAGE OU DÉBRASAGE; SOUDAGE; REVÊTEMENT OU PLACAGE PAR BRASAGE OU SOUDAGE; DÉCOUPAGE PAR CHAUFFAGE LOCALISÉ, p.ex. DÉCOUPAGE AU CHALUMEAU; TRAVAIL PAR RAYON LASER
1
Brasage ou débrasage
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
12
Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
12
Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
14
caractérisés par le matériau ou par ses propriétés électriques
15
Substrats en céramique ou en verre
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
62
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
64
Éléments d'extraction de la chaleur ou de refroidissement
Déposants : MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION[JP/JP]; 3-2, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008117, JP
Inventeurs : TERASAKI Nobuyuki; JP
Mandataire : MATSUNUMA Yasushi; JP
TERAMOTO Mitsuo; JP
HOSOKAWA Fumihiro; JP
ONAMI Kazunori; JP
Données relatives à la priorité :
2017-01973706.02.2017JP
2018-00982124.01.2018JP
Titre (EN) CERAMIC/ALUMINUM CONJUGATE, INSULATED CIRCUIT BOARD, LED MODULE, CERAMIC MEMBER, METHOD FOR PRODUCING CERAMIC/ALUMINUM CONJUGATE, AND METHOD FOR PRODUCING INSULATED CIRCUIT BOARD
(FR) CONJUGUÉ CÉRAMIQUE/ALUMINIUM, CARTE DE CIRCUIT IMPRIMÉ ISOLÉ, MODULE DE DEL, ÉLÉMENT CÉRAMIQUE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CONJUGUÉ CÉRAMIQUE/ALUMINIUM ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CARTE DE CIRCUIT IMPRIMÉ ISOLÉ
(JA) セラミックス/アルミニウム接合体、絶縁回路基板、LEDモジュール、セラミックス部材、セラミックス/アルミニウム接合体の製造方法、絶縁回路基板の製造方法
Abrégé :
(EN) In this ceramic/aluminum conjugate, a ceramic member and an aluminum member comprising aluminum or an aluminum alloy are bonded together. The ceramic member has a ceramic main body comprising silicon nitride, and an aluminum nitride layer or aluminum oxide layer formed on the surface of the ceramic main body where the aluminum member is to be bonded, the ceramic member being bonded to the aluminum member with the aluminum nitride layer or aluminum oxide layer interposed therebetween. The ceramic main body is provided with silicon nitride phases and a glass phase formed between the silicon nitride phases. Al is present in the portion of the glass phase of the ceramic main body on the side having the interface with the aluminum nitride layer or aluminum oxide layer.
(FR) Dans ce conjugué céramique/aluminium, un élément en céramique et un élément en aluminium comprenant de l'aluminium ou un alliage d'aluminium sont liés ensemble. L'élément en céramique présente un corps principal en céramique comprenant du nitrure de silicium et une couche de nitrure d'aluminium ou une couche d'oxyde d'aluminium formée sur la surface du corps principal en céramique où l'élément en aluminium doit être lié, l'élément en céramique étant lié à l'élément en aluminium avec la couche de nitrure d'aluminium ou la couche d'oxyde d'aluminium interposée entre eux. Le corps principal en céramique est pourvu de phases de nitrure de silicium et d'une phase vitreuse formée entre les phases de nitrure de silicium. Al est présent dans la partie de la phase vitreuse du corps principal en céramique sur le côté présentant l'interface avec la couche de nitrure d'aluminium ou la couche d'oxyde d'aluminium.
(JA) 本発明のセラミックス/アルミニウム接合体は、セラミックス部材と、アルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム部材とが接合されており、セラミックス部材は、窒化ケイ素からなるセラミックス本体と、このセラミックス本体のうちアルミニウム部材との接合面に形成された窒化アルミニウム層又は酸化アルミニウム層と、を有し、窒化アルミニウム層又は前記酸化アルミニウム層を介してアルミニウム部材が接合されており、セラミックス本体は、窒化ケイ素相と、この窒化ケイ素相の間に形成されたガラス相と、を備えており、セラミックス本体のガラス相のうち窒化アルミニウム層又は前記酸化アルミニウム層との界面側部分にAlが存在している。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)