Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales

1. (WO2018143429) MODULE SEMICONDUCTEUR DE PUISSANCE ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE

Pub. No.:    WO/2018/143429    International Application No.:    PCT/JP2018/003658
Publication Date: Fri Aug 10 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Feb 03 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 25/07
H01L 25/18
H02M 7/48
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: HORIGUCHI, Takeshi
堀口 剛司
MIYAZAKI, Yuji
宮崎 裕二
YANAGIMOTO, Tatsunori
柳本 辰則
Title: MODULE SEMICONDUCTEUR DE PUISSANCE ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE
Abstract:
L'invention concerne un module semiconducteur de puissance compact et un dispositif de conversion de puissance capables de supprimer la suroscillation. Le module semiconducteur de puissance comprend : un élément de commutation côté électrode positive (16P) et une diode de roue libre côté électrode positive (17P), qui sont des éléments semiconducteurs de puissance côté électrode positive ; un élément de commutation côté électrode négative (16N) et une diode de roue libre côté électrode négative (17N), qui sont des éléments semiconducteurs de puissance côté électrode négative ; un motif conducteur d'électrode positive (3a) ; un motif conducteur d'électrode négative (3b) ; un motif d'électrode à courant alternatif (3c) ; et un substrat d'amortissement comprenant un substrat isolant (8) sur lequel est formé un circuit d'amortissement. Le substrat d'amortissement comprend le substrat isolant (8), et au moins un circuit d'amortissement disposé sur le substrat isolant (8). Le substrat d'amortissement est disposé sur au moins l'un quelconque du motif conducteur d'électrode positive (3a), du motif conducteur d'électrode négative (3b) et du motif d'électrode à courant alternatif (3c).