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1. (WO2018143344) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SEMICONDUCTEUR ET DISPOSITIF DE FABRICATION DE SEMICONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2018/143344    International Application No.:    PCT/JP2018/003408
Publication Date: Fri Aug 10 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Feb 02 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 21/02
H01L 21/52
H01L 23/373
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: NAKAMURA, Keisuke
仲村 恵右
SUITA, Muneyoshi
吹田 宗義
IMAI, Akifumi
今井 章文
KURAHASHI, Kenichiro
倉橋 健一郎
SHINAGAWA, Tomohiro
品川 友宏
MATSUDA, Takashi
松田 喬
YOSHITSUGU, Koji
吉嗣 晃治
YAGYU, Eiji
柳生 栄治
NISHIMURA, Kunihiko
西村 邦彦
Title: PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SEMICONDUCTEUR ET DISPOSITIF DE FABRICATION DE SEMICONDUCTEUR
Abstract:
L'invention concerne un dispositif de fabrication de semiconducteur qui peut réduire l'apparition de dommages à un substrat de diamant pendant la liaison chimique du substrat de diamant à un substrat semiconducteur. La présente invention comprend : un étage de support de substrat inférieur pour supporter le substrat de diamant; un étage de support de substrat supérieur pour supporter le substrat semiconducteur; une unité d'entrainement d'étage de support pour déplacer l'étage de support de substrat inférieur et l'étage de support de substrat supérieur et amener le substrat de diamant et le substrat semiconducteur à être collés l'un à l'autre pendant qu'une pression est appliquée dans le sens de l'épaisseur; et une seconde partie de mécanisme qui déforme la surface de l'étage de support de substrat supérieur faisant face à l'étage de support de substrat inférieur de telle sorte que la surface du substrat semiconducteur faisant face au substrat de diamant est une surface incurvée parallèle ou une surface parallèle par rapport à la surface du substrat de diamant faisant face au substrat semiconducteur.