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1. (WO2018143230) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D’AIMANT FRITTÉ R-T-B
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N° de publication : WO/2018/143230 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/003089
Date de publication : 09.08.2018 Date de dépôt international : 31.01.2018
CIB :
H01F 41/02 (2006.01) ,C22C 28/00 (2006.01) ,C22C 38/00 (2006.01) ,H01F 1/057 (2006.01)
Déposants : HITACHI METALS, LTD.[JP/JP]; 2-70, Konan 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1088224, JP
Inventeurs : KUNIYOSHI Futoshi; --
Mandataire : OKUDA Seiji; JP
Données relatives à la priorité :
2017-01539531.01.2017JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING R-T-B SINTERED MAGNET
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D’AIMANT FRITTÉ R-T-B
(JA) R-T-B系焼結磁石の製造方法
Abrégé : front page image
(EN) In this method for producing an R-T-B sintered magnet, an R1-T-B sintered magnet material and an R2-Ga alloy are prepared. The sintered magnet material contains 27.5-35.0 mass% of R, 0.80-0.99 mass% of B, 0-0.8 mass% of Ga, 0-2 mass% of M (M is at least one of Cu, Al, Nb, and Zr), and 60 mass% or more of T. The following are performed in the method: a diffusion step in which at least part of the R2-Ga alloy is brought into contact with at least part of the surface of the sintered magnet material and the amount of RH included in the sintered magnet material is increased by 0.05-0.40 mass% by performing first heat treatment at a temperature of 700-950°C; and second heat treatment performed at a temperature that is in the range of 450-750°C and lower than the temperature of the first heat treatment.
(FR) La présente invention concerne un procédé de production d’un aimant fritté R-T-B, dans lequel un matériau d’aimant fritté R1-T-B et un alliage R2-Ga sont préparés. Le matériau d’aimant fritté contient 27,5 à 35,0 % en masse de R, 0,80 à 0,99 % en masse de B, 0 à 0,8 % en masse de Ga, 0 à 2 % en masse de M (M est au moins l’un parmi Cu, Al, Nb et Zr), et 60 % en masse ou plus de T. Le procédé comprend les étapes suivantes : une étape de diffusion dans laquelle au moins une partie de l’alliage R2-Ga est mise en contact avec au moins une partie de la surface du matériau d’aimant fritté et la quantité de RH incluse dans le matériau d’aimant fritté est augmentée de 0,05 à 0,40 % en masse en effectuant un premier traitement thermique à une température de 700 à 950 °C ; et un deuxième traitement thermique effectué à une température qui est dans la plage de 450 à 750 °C et inférieure à la température du premier traitement thermique.
(JA) R1-T-B系焼結磁石素材、R2-Ga合金を準備する。焼結磁石素材は、R:27.5~35.0質量%、B:0.80~0.99質量%、Ga:0~0.8質量%、M:0~2質量%(MはCu、Al、Nb、Zrの少なくとも一種)、T:60質量%以上を含有する。焼結磁石素材表面の少なくとも一部にR2-Ga合金の少なくとも一部を接触させ、700℃以上950℃以下の温度で第一の熱処理を実施することで焼結磁石素材に含有されるRH量を0.05質量%以上0.40質量%以下増加させる拡散工程と、450℃以上750℃以下の温度で、かつ前記第一の熱処理温度よりも低い温度で第二の熱処理を実施する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)