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1. (WO2018143164) DISPOSITIF DE GÉNÉRATION DE PLASMA, DISPOSITIF DE PULVÉRISATION DE PLASMA ET PROCÉDÉ DE PULVÉRISATION DE PLASMA
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N° de publication : WO/2018/143164 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/002876
Date de publication : 09.08.2018 Date de dépôt international : 30.01.2018
CIB :
C23C 14/35 (2006.01) ,C23C 14/34 (2006.01) ,H05H 1/46 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
34
Pulvérisation cathodique
35
par application d'un champ magnétique, p.ex. pulvérisation au moyen d'un magnétron
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
34
Pulvérisation cathodique
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
H
TECHNIQUE DU PLASMA; PRODUCTION DE PARTICULES ÉLECTRIQUEMENT CHARGÉES ACCÉLÉRÉES OU DE NEUTRONS; PRODUCTION OU ACCÉLÉRATION DE FAISCEAUX MOLÉCULAIRES OU ATOMIQUES NEUTRES
1
Production du plasma; Mise en œuvre du plasma
24
Production du plasma
46
utilisant des champs électromagnétiques appliqués, p.ex. de l'énergie à haute fréquence ou sous forme de micro-ondes
Déposants :
国立大学法人東北大学 TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 宮城県仙台市青葉区片平二丁目1番1号 2-1-1, Katahira, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577, JP
Inventeurs :
高橋 和貴 TAKAHASHI Kazunori; JP
福島 潤 FUKUSHIMA Jun; JP
安藤 晃 ANDO Akira; JP
佐々木 保正 SASAKI Yasumasa; JP
Mandataire :
大家 邦久 OHIE Kunihisa; JP
林 篤史 HAYASHI Atsushi; JP
Données relatives à la priorité :
2017-01554831.01.2017JP
Titre (EN) PLASMA GENERATING DEVICE, PLASMA SPUTTERING DEVICE, AND PLASMA SPUTTERING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE GÉNÉRATION DE PLASMA, DISPOSITIF DE PULVÉRISATION DE PLASMA ET PROCÉDÉ DE PULVÉRISATION DE PLASMA
(JA) プラズマ発生装置、プラズマスパッタリング装置及びプラズマスパッタリング方法
Abrégé :
(EN) The present invention relates to a plasma sputtering device characterized by being provided with: one or more plasma generating devices having an insulating tube having an expanding inside diameter and provided with a gas introduction opening in an end part or a side part, and a first electromagnet or permanent magnet group and a radio frequency antenna capable of applying a static magnetic field; a second electromagnet disposed in a region downstream of the plasma generating devices and capable of forming a curved magnetic field line structure; a target mechanism capable of applying a direct current or radio frequency voltage, wherein the mechanism has a permanent magnet embedded therein and is provided with a cooling mechanism; a wafer stage facing the target mechanism; a second permanent magnet group surrounding the wafer stage; and a mechanism for thermal insulation between a target material and the target mechanism. This plasma sputtering device avoids damage to wafers, is further provided with a mechanism for raising the heat of target material, and is capable of high speed sputtering by which large diameter wafers can be coated uniformly and thin films can be formed from magnetic targets.
(FR) La présente invention concerne un dispositif de pulvérisation de plasma caractérisé en ce qu'il comprend : un ou plusieurs dispositifs de génération de plasma ayant un tube isolant ayant un diamètre intérieur d'expansion et pourvu d'une ouverture d'introduction de gaz dans une partie d'extrémité ou une partie latérale, et un premier électroaimant ou groupe d'aimants permanents et une antenne radiofréquence capable d'appliquer un champ magnétique statique ; un second électroaimant disposé dans une région en aval des dispositifs de génération de plasma et capable de former une structure de ligne de champ magnétique incurvée ; un mécanisme cible capable d'appliquer une tension de radiofréquence ou de courant continu, le mécanisme comprenant un aimant permanent intégré dans celui-ci et étant pourvu d'un mécanisme de refroidissement ; un étage de tranche faisant face au mécanisme cible ; un second groupe d'aimants permanents entourant l'étage de tranche ; et un mécanisme d'isolation thermique entre un matériau cible et le mécanisme cible. Ce dispositif de pulvérisation par plasma évite d'endommager les tranches, est en outre pourvu d'un mécanisme pour élever la chaleur du matériau cible, et peut effectuer une pulvérisation à grande vitesse par lequel des tranches de grand diamètre peuvent être revêtues uniformément et des films minces peuvent être formés à partir de cibles magnétiques.
(JA) 本発明は、内径が拡大し端部または側部にガス導入口を備えた絶縁管、静磁場を印加可能な第1の電磁石または永久磁石群及び高周波アンテナを有した1個または複数個のプラズマ発生装置と、前記プラズマ発生装置の下流域に配設された、湾曲した磁力線構造を形成可能な第2の電磁石と、永久磁石を埋没しかつ冷却機構を備えた直流または高周波電圧印加可能なターゲット機構と、ターゲット機構に対向する基板ステージと、基板ステージ周囲の第2の永久磁石群と、ターゲット材料とターゲット機構の間の断熱機構とを備えていることを特徴とするプラズマスパッタリング装置に関する。本発明のプラズマスパッタリング装置は、基板ダメージがなく、ターゲット材の昇温機構を兼ね備え、大口径基板への均一成膜が可能であり、磁性体ターゲットにおいても薄膜形成が可能な高速スパッタリングが可能である。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)