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1. (WO2018143054) DÉTECTEUR DE PARTICULES CHARGÉES ET DISPOSITIF À FAISCEAU DE PARTICULES CHARGÉES
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N° de publication : WO/2018/143054 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/002319
Date de publication : 09.08.2018 Date de dépôt international : 25.01.2018
CIB :
H01J 37/244 (2006.01) ,G01N 23/2258 (2018.01) ,G01T 1/20 (2006.01) ,G21K 4/00 (2006.01) ,H01J 37/28 (2006.01) ,H01J 49/02 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37
Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
02
Détails
244
Détecteurs; Composants ou circuits associés
[IPC code unknown for G01N 23/2258]
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
T
MESURE DES RADIATIONS NUCLÉAIRES OU DES RAYONS X
1
Mesure des rayons X, des rayons gamma, des radiations corpusculaires ou des radiations cosmiques
16
Mesure de l'intensité de radiation
20
avec des détecteurs à scintillation
G PHYSIQUE
21
PHYSIQUE NUCLÉAIRE; TECHNIQUE NUCLÉAIRE
K
TECHNIQUES NON PRÉVUES AILLEURS POUR MANIPULER DES PARTICULES OU DES RAYONNEMENTS IONISANTS; DISPOSITIFS D'IRRADIATION; MICROSCOPES À RAYONS GAMMA OU À RAYONS X
4
Écrans de conversion pour transformer une distribution spatiale de particules ou de rayonnements ionisants en images visibles, p.ex. écrans fluorescents
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37
Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
26
Microscopes électroniques ou ioniques; Tubes à diffraction d'électrons ou d'ions
28
avec faisceaux de balayage
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
49
Spectromètres pour particules ou tubes séparateurs de particules
02
Détails
Déposants :
株式会社日立ハイテクノロジーズ HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西新橋一丁目２４番１４号 24-14, Nishi Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058717, JP
Inventeurs :
今村　伸 IMAMURA Shin; JP
大嶋　卓 OHSHIMA Takashi; JP
土屋　朋信 TSUCHIYA Tomonobu; JP
川野　源 KAWANO Hajime; JP
ホック　シャヘドゥル HOQUE Shahedul; JP
水谷　俊介 MIZUTANI Shunsuke; JP
鈴木　誠 SUZUKI Makoto; JP
Mandataire :
特許業務法人平木国際特許事務所 HIRAKI & ASSOCIATES; 東京都港区愛宕二丁目５－１　愛宕グリーンヒルズＭＯＲＩタワー３２階 Atago Green Hills MORI Tower 32F, 5-1, Atago 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1056232, JP
Données relatives à la priorité :
2017-01497831.01.2017JP
Titre (EN) CHARGED PARTICLE DETECTOR AND CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE
(FR) DÉTECTEUR DE PARTICULES CHARGÉES ET DISPOSITIF À FAISCEAU DE PARTICULES CHARGÉES
(JA) 荷電粒子検出器及び荷電粒子線装置
Abrégé :
(EN) The present invention provides a charged particle detector comprising a scintillator for obtaining high light emission intensity while emitting light of a stable intensity, without using energy of incident electrons. The present invention proposes a charged particle detector comprising: a first light-emitting part (21) for which are alternately laminated a layer containing Ga1–x–yAlxInyN (where 0 ≤ x < 1, 0 ≤ y < 1) and a layer containing GaN; a second light-emitting part (23) for which are alternately laminated a layer containing Ga1–x–yAlxInyN (where 0 ≤ x < 1, 0 ≤ y < 1) and a layer containing GaN; and a non-light-emitting part (22) interposed between the first light-emitting part and the second light-emitting part (see fig. 2).
(FR) La présente invention concerne un détecteur de particules chargées comprenant un scintillateur pour obtenir une intensité d'émission de lumière élevée tout en émettant de la lumière d'une intensité stable, sans utiliser d'énergie d'électrons incidents. La présente invention propose un détecteur de particules chargées comprenant : une première partie électroluminescente (21) pour laquelle sont stratifiées en alternance une couche contenant Ga1–x–yAlxInyN (où 0 ≤ x < 1, 0 ≤ y < 1) et une couche contenant du GaN; une seconde partie électroluminescente (23) pour laquelle sont stratifiées en alternance une couche contenant Ga1–x–yAlxInyN (où 0 ≤ x < 1, 0 ≤ y < 1) et une couche contenant du GaN; et une partie non électroluminescente (22) interposée entre la première partie d'émission de lumière et la seconde partie d'émission de lumière (voir figure 2).
(JA) 本開示は、入射電子のエネルギーによらず、安定した強度で発光しつつ、高い発光強度を得るシンチレータを備えた荷電粒子検出器を提供する。本開示は、Ｇａ１－ｘ－ｙＡｌｘＩｎｙＮ（但し０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１）を含む層と、ＧａＮを含む層が交互に積層された第１の発光部（２１）と、Ｇａ１－ｘ－ｙＡｌｘＩｎｙＮ（但し０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１）を含む層と、ＧａＮを含む層が交互に積層された第２の発光部（２３）と、当該第１の発光部と第２の発光部との間に介在する非発光部（２２）とを備えた荷電粒子検出器を提案する（図２参照）。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)