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1. (WO2018143016) CAPTEUR DE GAZ
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N° de publication : WO/2018/143016 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/001992
Date de publication : 09.08.2018 Date de dépôt international : 23.01.2018
CIB :
G01N 27/12 (2006.01) ,G01N 27/04 (2006.01) ,H01M 8/00 (2016.01) ,H01M 8/04 (2016.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
27
Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques
02
en recherchant l'impédance
04
en recherchant la résistance
12
d'un corps solide dépendant de l'absorption d'un fluide; d'un corps solide dépendant de la réaction avec un fluide
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
27
Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques
02
en recherchant l'impédance
04
en recherchant la résistance
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
M
PROCÉDÉS OU MOYENS POUR LA CONVERSION DIRECTE DE L'ÉNERGIE CHIMIQUE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE, p.ex. BATTERIES
8
Eléments à combustible; Leur fabrication
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
M
PROCÉDÉS OU MOYENS POUR LA CONVERSION DIRECTE DE L'ÉNERGIE CHIMIQUE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE, p.ex. BATTERIES
8
Eléments à combustible; Leur fabrication
04
Dispositions ou procédés auxiliaires, p.ex. pour la commande de la pression, pour la circulation des fluides
Déposants :
パナソニックIPマネジメント株式会社 PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区城見2丁目1番61号 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207, JP
Inventeurs :
藤井 覚 FUJII Satoru; --
魏 志強 WEI Zhiqiang; --
本間 運也 HOMMA Kazunari; --
米田 慎一 YONEDA Shinichi; --
内藤 泰久 NAITO Yasuhisa; --
島 久 SHIMA Hisashi; --
秋永 広幸 AKINAGA Hiroyuki; --
Mandataire :
鎌田 健司 KAMATA Kenji; JP
前田 浩夫 MAEDA Hiroo; JP
Données relatives à la priorité :
2017-01630731.01.2017JP
Titre (EN) GAS SENSOR
(FR) CAPTEUR DE GAZ
(JA) 気体センサ
Abrégé :
(EN) A gas sensor (100) is provided with a gas response body layer (103) formed above a substrate (101) and composed of a metal oxide layer, a first electrode (104) formed on the gas response body layer (103), and a second electrode (105) formed on the gas response body layer (103) so that a gap (106) is present between the first electrode (104) and the second electrode (105), the gas response body layer (103) having a resistance variation characteristic that transitions reversibly between a high-resistance state and a low-resistance state on the basis of a voltage applied between the first electrode (104) and the second electrode (105), at least a portion of the gas response body layer (103) being exposed in the gap (106), and the resistance value of the gas response body layer (103) decreasing when a gas containing hydrogen atoms is in contact with the second electrode (105).
(FR) L'invention concerne un capteur de gaz (100) comprenant une couche de corps de réponse au gaz (103) formée au-dessus d'un substrat (101) et composée d'une couche d'oxyde métallique, d'une première électrode (104) formée sur la couche de corps de réponse au gaz (103) et d'une seconde électrode (105) formée sur la couche de corps de réponse au gaz (103) de telle sorte qu'un espace (106) soit présent entre la première électrode (104) et la seconde électrode (105), la couche de corps de réponse au gaz (103) présentant une caractéristique de variation de résistance passant de manière réversible d'un état de résistance élevée à un état de résistance faible en fonction d'une tension appliquée entre la première électrode (104) et la seconde électrode (105), au moins une partie de la couche de corps de réponse au gaz (103) étant découverte dans l'espace (106) et la valeur de résistance de la couche de corps de réponse au gaz (103) diminuant lorsqu'un gaz contenant des atomes d'hydrogène est en contact avec la seconde électrode (105).
(JA) 気体センサ(100)は、基板(101)の上方に形成され、金属酸化物層で構成される気体感応体層(103)と、気体感応体層(103)の上に形成された第1の電極(104)と、気体感応体層(103)の上に、第1の電極(104)との間に間隙(106)を有するように形成された第2の電極(105)と、を備え、気体感応体層(103)は、第1の電極(104)と第2の電極(105)との間に印加される電圧に基づいて、可逆的に高抵抗状態と低抵抗状態とに遷移する抵抗変化特性を有し、間隙(106)において、気体感応体層(103)の少なくとも一部は露出しており、気体感応体層(103)の抵抗値は、水素原子を含有する気体が第2の電極(105)に接したときに減少する。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)