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1. (WO2018142976) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR DE TYPE CSP ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2018/142976    International Application No.:    PCT/JP2018/001700
Publication Date: Fri Aug 10 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Tue Jan 23 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 23/12
H01L 21/301
H01L 21/768
Applicants: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
株式会社村田製作所
Inventors: SAKAI Nobuo
坂井 宣夫
Title: DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR DE TYPE CSP ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract:
L'invention concerne un dispositif à semiconducteur de type CSP (101) comprenant un substrat semiconducteur (1), une couche de recâblage (2), et un film de protection (3). Le substrat semiconducteur (1) a une première surface (S1), et une surface latérale (S31) orthogonale à la première surface (S1), et un élément fonctionnel (10) est formé sur la première surface (S1). La couche de recâblage (2) est formée sur toute la surface sur la première surface (S1) du substrat semiconducteur (1), comporte une surface latérale (S32) continue à partir de la surface latérale (S31) du substrat semiconducteur (1), et comprend des motifs de câblage (21A, 21B) connectés à l'élément fonctionnel (10). Le film de protection (3) est formé d'un film polymère de fluorocarbone qui est formé en continu à partir de la surface latérale (S32) de la couche de recâblage (2) jusqu'à la surface latérale (S31) du substrat semiconducteur (1).