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1. (WO2018142976) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR DE TYPE CSP ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2018/142976 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/001700
Date de publication : 09.08.2018 Date de dépôt international : 22.01.2018
CIB :
H01L 23/12 (2006.01) ,H01L 21/301 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD.[JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
Inventeurs : SAKAI Nobuo; JP
Mandataire : KAEDE PATENT ATTORNEYS' OFFICE; 1-4-34, Noninbashi, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400011, JP
Données relatives à la priorité :
2017-01700501.02.2017JP
Titre (EN) CSP-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR DE TYPE CSP ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) CSP型半導体デバイスおよびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN) A CSP-type semiconductor device (101) has a semiconductor substrate (1), a rewiring layer (2), and a protection film (3). The semiconductor substrate (1) has a first surface (S1), and a side surface (S31) orthogonal to the first surface (S1), and a functional element (10) is formed on the first surface (S1). The rewiring layer (2) is formed on the whole surface on the first surface (S1) of the semiconductor substrate (1), has a side surface (S32) continuous from the side surface (S31) of the semiconductor substrate (1), and includes wiring patterns (21A, 21B) connected to the functional element (10). The protection film (3) is formed of a fluorocarbon polymer film that is continuously formed from the side surface (S32) of the rewiring layer (2) to the side surface (S31) of the semiconductor substrate (1).
(FR) L'invention concerne un dispositif à semiconducteur de type CSP (101) comprenant un substrat semiconducteur (1), une couche de recâblage (2), et un film de protection (3). Le substrat semiconducteur (1) a une première surface (S1), et une surface latérale (S31) orthogonale à la première surface (S1), et un élément fonctionnel (10) est formé sur la première surface (S1). La couche de recâblage (2) est formée sur toute la surface sur la première surface (S1) du substrat semiconducteur (1), comporte une surface latérale (S32) continue à partir de la surface latérale (S31) du substrat semiconducteur (1), et comprend des motifs de câblage (21A, 21B) connectés à l'élément fonctionnel (10). Le film de protection (3) est formé d'un film polymère de fluorocarbone qui est formé en continu à partir de la surface latérale (S32) de la couche de recâblage (2) jusqu'à la surface latérale (S31) du substrat semiconducteur (1).
(JA) CSP型半導体デバイス(101)は、半導体基板(1)、再配線層(2)および保護膜(3)を有する。半導体基板(1)は第1面(S1)およびこの第1面(S1)に直交する側面(S31)を有し、第1面(S1)に機能素子(10)が形成されている。再配線層(2)は、半導体基板(1)の第1面(S1)上の全面に形成され、半導体基板(1)の側面(S31)から連続する側面(S32)を有し、機能素子(10)に接続された配線パターン(21A,21B)を含む。保護膜(3)は、再配線層(2)の側面(S32)から半導体基板(1)の側面(S31)にかけて連続的に形成されたフルオロカーボン重合膜により形成されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)