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1. (WO2018142788) BROCHE DE LEVAGE, DISPOSITIF DE CROISSANCE ÉPITAXIALE UTILISANT LADITE BROCHE DE LEVAGE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE ÉPITAXIALE DE SILICIUM
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N° de publication : WO/2018/142788 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/045443
Date de publication : 09.08.2018 Date de dépôt international : 19.12.2017
CIB :
H01L 21/205 (2006.01) ,C23C 16/24 (2006.01) ,C23C 16/44 (2006.01) ,H01L 21/683 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205
en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
22
caractérisé par le dépôt de matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques
24
Dépôt uniquement de silicium
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44
caractérisé par le procédé de revêtement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
683
pour le maintien ou la préhension
Déposants :
株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目2番1号 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku Tokyo 1058634, JP
Inventeurs :
櫻井 雅哉 SAKURAI Masaya; JP
Mandataire :
杉村 憲司 SUGIMURA Kenji; JP
Données relatives à la priorité :
2017-01789002.02.2017JP
Titre (EN) LIFT PIN, EPITAXIAL GROWTH DEVICE USING SAID LIFT PIN, AND SILICON EPITAXIAL WAFER MANUFACTURING METHOD
(FR) BROCHE DE LEVAGE, DISPOSITIF DE CROISSANCE ÉPITAXIALE UTILISANT LADITE BROCHE DE LEVAGE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE ÉPITAXIALE DE SILICIUM
(JA) リフトピン、該リフトピンを用いたエピタキシャル成長装置およびシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
Abrégé :
(EN) Provided is a lift pin for an epitaxial growth device, the lift pin making it possible to avoid scratches on a silicon wafer back surface due to the lift pin, to suppress the generation of dust due to sliding contact of the lift pin with a wall surface around a through-hole of a susceptor, and to prevent peeling of glassy carbon. The lift pin of the present invention comprises: a straight body portion for insertion into the through-hole of the susceptor; a head portion for engagement with a silicon wafer; and a covering portion which covers at least the top of the head portion. The straight body portion and the head portion are made from porous material. The covering portion is made from a carbon-based covering material. The covering portion fills at least some of air gaps in the porous SiC in the head portion.
(FR) L'invention concerne une broche de levage pour un dispositif de croissance épitaxiale, la broche de levage permettant d'éviter des rayures sur une surface arrière de tranche de silicium en raison de la broche de levage, pour supprimer la génération de poussière due au contact coulissant de la broche de levage avec une surface de paroi autour d'un trou traversant d'un suscepteur, et pour empêcher le pelage de carbone vitreux. La broche de levage de la présente invention comprend : une partie de corps droit destinée à être insérée dans le trou traversant du suscepteur; une partie tête destinée à venir en prise avec une tranche de silicium; et une partie de recouvrement qui recouvre au moins la partie supérieure de la partie tête. La partie de corps droit et la partie tête sont constituées d'un matériau poreux. La partie de recouvrement est constituée d'un matériau de revêtement à base de carbone. La partie de recouvrement remplit au moins certains des espaces d'air dans le SiC poreux dans la partie tête.
(JA) リフトピンによるシリコンウェーハ裏面の疵付きを回避するとともに、該リフトピンがサセプタの貫通孔周りの壁面と摺れ合うことによる発塵を抑制することができ、さらにガラス状カーボンの剥離を防止することのできる、エピタキシャル成長装置用のリフトピンを提供する。 本発明によるリフトピンは、サセプタの貫通孔内に挿通するための直胴部と、シリコンウェーハに当接するための頭部と、前記頭部の頂部を少なくとも被覆する被覆部と、を有し、前記直胴部および前記頭部は、多孔質体からなり、前記被覆部は炭素系被覆材からなり、前記被覆部が、前記頭部における前記多孔質SiCの空隙の少なくとも一部を充填する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)