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1. (WO2018142729) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
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N° de publication : WO/2018/142729 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/041956
Date de publication : 09.08.2018 Date de dépôt international : 22.11.2017
CIB :
H01L 21/304 (2006.01) ,H05F 3/06 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304
Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
F
ÉLECTRICITÉ STATIQUE; ÉLECTRICITÉ D'ORIGINE NATURELLE
3
Enlèvement des charges électrostatiques
06
au moyen de radiations ionisantes
Déposants :
株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP/JP]; 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る四丁目天神北町1番地の1 Tenjinkita-machi 1-1, Teranouchi-agaru 4-chome, Horikawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6028585, JP
Inventeurs :
田中 孝佳 TANAKA Takayoshi; JP
岩田 智巳 IWATA Tomomi; JP
Mandataire :
吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi; JP
有田 貴弘 ARITA Takahiro; JP
Données relatives à la priorité :
2017-01535731.01.2017JP
Titre (EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置および基板処理方法
Abrégé :
(EN) Provided is a substrate processing device in which electrons released from a substrate are inhibited from being accumulated in another member. The substrate processing device 10 is a device for performing, on a charged substrate, a process for reducing the amount of charge in the substrate. The substrate processing device 10 is provided with a substrate holding means 1, a UV irradiator 2, and an electron capturing unit 3. A substrate holding part 1 holds a substrate W1. The UV irradiator 2 irradiates the substrate held by the substrate holding part 1 with UV rays. The electron capturing unit 3 captures electrons released from the substrate by being irradiated with the UV rays by the UV irradiator 2.
(FR) L'invention concerne un dispositif de traitement de substrat permettant d'empêcher que les électrons libérés à partir d'un substrat ne s'accumulent dans un autre élément. Le dispositif de traitement de substrat 10 est un dispositif destiné à effectuer, sur un substrat chargé, un procédé permettant de réduire la quantité de charge dans le substrat. Le dispositif de traitement de substrat 10 est pourvu d'un moyen de maintien de substrat 1, d'un irradiateur UV 2, et d'une unité de capture d'électrons 3. Une partie de maintien de substrat 1 maintient un substrat W1. L'irradiateur UV 2 irradie le substrat maintenu par la partie de maintien de substrat 1 avec des rayons UV. L'unité de capture d'électrons 3 capture des électrons libérés à partir du substrat en étant irradiés avec les rayons UV par l'irradiateur UV 2.
(JA) 基板から放出された電子が他の部材に蓄積されることを抑制する基板処理装置を提供する。基板処理装置10は、帯電した基板に対して、その帯電量を低減する処理を行う装置である。基板処理装置10は、基板保持手段1と、紫外線照射器2と、電子捕捉部3とを備えている。基板保持部1は、基板W1を保持する。紫外線照射器2は、基板保持部1によって保持された基板に対して、紫外線を照射する。電子捕捉部3は、紫外線照射器2による紫外線の照射によって基板から放出された電子を捕捉する。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)