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1. (WO2018142715) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, SYSTÈME DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
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N° de publication : WO/2018/142715 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/040927
Date de publication : 09.08.2018 Date de dépôt international : 14.11.2017
CIB :
H01L 21/027 (2006.01) ,H01L 21/302 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304
Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
Déposants :
株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP/JP]; 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神北町1ー1 Tenjinkita-machi 1-1, Teranouchi-agaru 4-chome, Horikawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6028585, JP
Inventeurs :
中野 佑太 NAKANO Yuta; JP
田中 孝佳 TANAKA Takayoshi; JP
谷口 寛樹 TANIGUCHI Hiroki; JP
▲高▼橋 弘明 TAKAHASHI Hiroaki; JP
岩田 智巳 IWATA Tomomi; JP
Mandataire :
吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi; JP
有田 貴弘 ARITA Takahiro; JP
Données relatives à la priorité :
2017-01537031.01.2017JP
Titre (EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM, AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, SYSTÈME DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置、基板処理システムおよび基板処理方法
Abrégé :
(EN) Provided is a substrate processing device capable of improving the throughput of static elimination processing. A substrate processing device 10 performs processing for reducing the charge amount of a charged substrate. The substrate processing device 10 comprises a substrate holding means 1, an ultraviolet irradiation means 2, and an electrostatic field forming means 8. The substrate holding means 1 holds a substrate. The ultraviolet irradiation means 2 is disposed so as to oppose the substrate held by the substrate holding means with a space therebetween and irradiates the substrate with ultraviolet rays. The electrostatic field forming means 8 forms an electric field in such space and moves electrons emitted from the substrate away from the substrate.
(FR) L'invention concerne un dispositif de traitement de substrat capable d'améliorer le débit de traitement d'élimination statique. Un dispositif de traitement de substrat 10 effectue un traitement pour réduire la quantité de charge d'un substrat chargé. Le dispositif de traitement de substrat 10 comprend un moyen de maintien de substrat 1, un moyen d'irradiation ultraviolette 2, et un moyen de formation de champ électrostatique 8. Le moyen de maintien de substrat 1 maintient un substrat. Le moyen d'irradiation ultraviolette 2 est disposé de façon à s'opposer au substrat maintenu par le moyen de maintien de substrat avec un espace entre eux et expose le substrat à des rayons ultraviolets. Le moyen de formation de champ électrostatique 8 forme un champ électrique dans un tel espace et déplace les électrons émis depuis le substrat à l'opposé du substrat.
(JA) 除電処理のスループットを向上できる基板処理装置を提供する。基板処理装置10は、帯電した基板に対して、その帯電量を低減する処理を行う装置である。基板処理装置10は、基板保持手段1と、紫外線照射手段2と、静電場形成手段8とを備えている。基板保持手段1は基板を保持する。紫外線照射手段2は、基板保持手段によって保持された基板と、空間を隔てて対向するように配置されており、当該基板へと紫外線を照射する。静電場形成手段8は、電場を当該空間に形成して、当該基板から放出された電子を当該基板から遠ざける。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)