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1. (WO2018141867) MODULE SEMICONDUCTEUR DE PUISSANCE À MODE DE DÉFAILLANCE DE COURT-CIRCUIT

Pub. No.:    WO/2018/141867    International Application No.:    PCT/EP2018/052559
Publication Date: Fri Aug 10 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Feb 02 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 23/051
H01L 23/535
H01L 23/62
H01L 25/07
H01L 29/16
H01L 23/00
Applicants: ABB SCHWEIZ AG
Inventors: LIU, Chunlei
SCHUDERER, Jürgen
BREM, Franziska
RAHIMO, Munaf
STEIMER, Peter Karl
DUGAL, Franc
Title: MODULE SEMICONDUCTEUR DE PUISSANCE À MODE DE DÉFAILLANCE DE COURT-CIRCUIT
Abstract:
L'invention concerne un module semiconducteur de puissance (10) comprenant une plaque de base (12); une puce de Si (16a) comprenant un substrat de Si, la puce de Si (16a) étant fixée à la plaque de base (12); une première préforme métallique (22a) pressée avec une première broche de pression (24a) contre la puce de Si (16a); une puce de matériau à large bande interdite (16b) comprenant un substrat à large bande interdite et un commutateur à semiconducteur (28b) disposé sur le substrat à large bande interdite, la puce de matériau à large bande interdite (16b) étant fixée à la plaque de base (12); et une seconde préforme métallique (22b) pressée avec une seconde broche de pression (24b) contre la puce de matériau à large bande interdite (16b); la puce de Si (16a) et la puce de matériau à large bande interdite (16b) étant connectées en parallèle par l'intermédiaire de la plaque de base (12) et par l'intermédiaire de la première broche de pression (24a) et de la seconde broche de pression (24b); la première préforme métallique (22a) étant conçue pour former un trajet conducteur à travers la puce de Si (16a), lorsqu'elle est chauffée par une surintensité; et la seconde préforme métallique (22b) étant conçue pour former un trajet de conduction temporaire à travers la puce de matériau à large bande interdite (16b) ou un circuit ouvert, lorsqu'elle est chauffée par une surintensité.