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1. (WO2018141834) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
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N° de publication : WO/2018/141834 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/052490
Date de publication : 09.08.2018 Date de dépôt international : 01.02.2018
CIB :
H01L 33/38 (2010.01) ,H01L 27/15 (2006.01) ,H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/08 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36
caractérisés par les électrodes
38
ayant une forme particulière
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
15
comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
08
ayant une pluralité de régions électroluminescentes, p.ex. couche électroluminescente discontinue latéralement ou région photoluminescente intégrée au sein du corps semi-conducteur
Déposants :
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventeurs :
HERRMANN, Siegfried; DE
Mandataire :
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Données relatives à la priorité :
10 2017 102 247.306.02.2017DE
Titre (EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
(DE) OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND HERSTELLUNGSVERFAHREN HIERFÜR
Abrégé :
(EN) The invention relates to an optoelectronic semiconductor component (1) comprising a semiconductor layer sequence (2) which is removed from a growth substrate (9) and comprises an active zone (23) for generating light between a first layer region (21) and a second layer region (22). A first (31) and a second electric contact structure (32) are provided via which the layer regions (31, 32) are electrically contacted. A support substrate (6) is located on a first and second contact structure (31, 32) face facing away from the semiconductor layer sequence (2). The first contact structure (31) comprises flat contacts (41) directly on the semiconductor layer sequence (2) and continuously over the semiconductor layer sequence (2). The second contact structure (32) comprises electrically actuatable contact pins (42), in particular independently electrically actuatable contact pins, which extend through the flat contacts (41), the first layer region (21), and the active zone (23) into the second layer region (22).
(FR) Le composant semi-conducteur optoélectronique (1) comprend une succession de couches semi-conductrices (2) détachée d’un substrat de croissance (9) et comportant une zone active (23) destinée à générer de la lumière entre une première zone de couches (21) et une seconde zone de couches (22). En outre, une première (31) et une seconde structure de contact électrique (32) sont présentes qui réalisent le contact électrique avec les zones de couche (31, 32). Un substrat de support (6) est situé sur un côté de la première et de la seconde structure de contact (31, 32) qui est opposé à la succession de couches semi-conductrices (2). La première structure de contact (31) comprend des contacts de surface (41) directement sur la succession de couches semi-conductrice (2) et de manière continue au-delà de la succession de couches semi-conductrices (2). La seconde structure de contact (32) comprend des broches de contact (42) qui peuvent être commandées de préférence indépendamment électriquement et qui s’étendent jusque dans la seconde région de couches (22) en passant par les contacts de surface (41), la première zone de couches (21) et la zone active (23).
(DE) Es umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) eine von einem Aufwachssubstrat (9) abgelöste Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone (23) zur Erzeugung von Licht zwischen einem ersten Schichtbereich (21) und einem zweiten Schichtbereich (22). Ferner sind eine erste (31) und eine zweite elektrische Kontaktstruktur (32) vorhanden, über die die Schichtbereiche (31, 32) elektrisch kontaktiert sind. Ein Trägersubstrat (6) befindet sich an einer der Halbleiterschichtenfolge (2) abgewandten Seite der ersten und der zweiten Kontaktstruktur (31, 32). Die erste Kontaktstruktur (31) umfasst Flächenkontakte (41) direkt an der Halbleiterschichtenfolge (2) und über die Halbleiterschichtenfolge (2) durchgehend hinweg. Die zweite Kontaktstruktur (32) umfasst elektrisch bevorzugt unabhängig ansteuerbare Kontaktzapfen (42), die sich durch die Flächenkontakte (41), den ersten Schichtbereich (21) und die aktive Zone (23) hindurch in den zweiten Schichtbereich (22) erstrecken.
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)