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1. (WO2018141811) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR DE PUISSANCE AVEC MODE ACTIF DE DÉFAILLANCE DE COURT-CIRCUIT
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N° de publication : WO/2018/141811 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/052434
Date de publication : 09.08.2018 Date de dépôt international : 31.01.2018
CIB :
H01L 23/62 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 29/16 (2006.01) ,H01L 23/051 (2006.01) ,H01L 23/535 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
58
Dispositions électriques structurelles non prévues ailleurs pour dispositifs semi-conducteurs
62
Protection contre l'excès de courant ou la surcharge, p.ex. fusibles, shunts
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
12
caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
16
comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du quatrième groupe de la classification périodique, sous forme non combinée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
02
Conteneurs; Scellements
04
caractérisés par la forme
043
le conteneur étant une structure creuse ayant une base conductrice qui sert de support et en même temps de connexion électrique pour le corps semi-conducteur
051
une autre connexion étant constituée par le couvercle parallèle à la base, p.ex. du type "sandwich"
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
535
comprenant des interconnexions internes, p.ex. structures d'interconnexions enterrées
Déposants :
ABB SCHWEIZ AG [CH/CH]; Brown Boveri Strasse 6 5400 Baden, CH
Inventeurs :
LIU, Chunlei; CH
DUGAL, Franc; CH
RAHIMO, Munaf; CH
STEIMER, Peter Karl; CH
Mandataire :
ABB PATENT ATTORNEYS; ABB Schweiz AG, CH-IP, Brown Boveri Strasse 6 5400 Baden, CH
Données relatives à la priorité :
17154196.401.02.2017EP
Titre (EN) POWER SEMICONDUCTOR DEVICE WITH ACTIVE SHORT CIRCUIT FAILURE MODE
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR DE PUISSANCE AVEC MODE ACTIF DE DÉFAILLANCE DE COURT-CIRCUIT
Abrégé :
(EN) A power semiconductor device (10) comprises a Si chip (12) providing a Si switch (14) and a wide bandgap material chip (16) providing a wide bandgap material switch (18), wherein the Si switch (14) and the wide bandgap material switch (18) are electrically connected in parallel. A method for controlling a power semiconductor device (10) comprises: during a normal operation mode, controlling at least the wide bandgap material switch (18) for switching a current through the power semiconductor device (10) by applying corresponding gate signals to at least the wide bandgap material switch (18); sensing a failure in the power semiconductor device (10); and, in the case of a sensed failure, controlling the Si switch (14) by applying a gate signal, such that a current is generated in the Si chip (12) heating the Si chip (12) to a temperature forming a permanent conducting path through the Si chip (12).
(FR) L'invention concerne un dispositif à semiconducteur de puissance (10) comprenant une puce Si (12) fournissant un commutateur Si (14) et une puce en matériau à large bande interdite (16) fournissant un commutateur en matériau à large bande interdite (18), le commutateur Si (14) et le commutateur en matériau à large bande interdite (18) étant électriquement connectés en parallèle. Un procédé de commande d'un dispositif à semiconducteur de puissance (10) comprend les étapes suivantes : pendant un mode de fonctionnement normal, commander au moins le commutateur en matériau à large bande interdite (18) pour commuter un courant à travers le dispositif à semiconducteur de puissance (10) en appliquant des signaux de grille correspondants à au moins le commutateur en matériau à large bande interdite (18); détecter une défaillance dans le dispositif à semiconducteur de puissance (10); et, dans le cas d'une défaillance détectée, commander le commutateur Si (14) en appliquant un signal de grille, de telle sorte qu'un courant est généré dans la puce Si (12) chauffer la puce Si (12) à une température formant un trajet conducteur permanent à travers la puce Si (12).
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)