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1. (WO2018141805) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SILICIUM ÉLÉMENTAIRE
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N° de publication : WO/2018/141805 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/052424
Date de publication : 09.08.2018 Date de dépôt international : 31.01.2018
CIB :
C01B 33/023 (2006.01)
Déposants : SOLAR SILICON GMBH[AT/AT]; Schemerlhöhe 65 8302 Nestelbach, AT
Inventeurs : HANDL, Martin; AT
Mandataire : SCHWARZ & PARTNER PATENTANWÄLTE OG; Wipplingerstrasse 30 1010 Wien, AT
NEMEC, Harald; AT
Données relatives à la priorité :
17154793.806.02.2017EP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING ELEMENTARY SILICON
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SILICIUM ÉLÉMENTAIRE
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON ELEMENTAREM SILIZIUM
Abrégé : front page image
(EN) The present invention relates to a method for producing elementary silicon from silicon oxides of formula SixOy, where x ≥ 1 and y > 1, in particular silicon dioxide. The method according to the invention comprises the steps: a) reducing the silicon oxide to silicon monoxide by means of a gaseous reducing agent at a temperature of 1000°C to 2500°C, forming a gas phase containing the silicon monoxide; b) reducing the silicon monoxide produced in step a) by means of a gaseous reducing agent at a temperature of 1500°C or more, forming elementary silicon, which is separated off, and a residual gas phase.
(FR) La présente invention concerne un procédé de production de silicium élémentaire à partir d'oxydes de silicium de formule SixOy, dans laquelle x ≥ 1 et y > 1, de dioxyde de silicium. Le procédé selon l'invention comprend les étapes suivantes : a) réduction de l'oxyde de silicium en monoxyde de silicium au moyen d'un agent de réduction gazeux à une température comprise entre 1 000°C et 2 500°C, ce qui entraîne la formation d’une phase gazeuse contenant le monoxyde de silicium, b) réduction du monoxyde de silicium obtenu à l'étape a) au moyen d'un agent de réduction gazeux à une température de 1 500 °C ou plus, ce qui entraîne la formation du silicium élémentaire, qui est séparé, et d’une phase gazeuse restante.
(DE) Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von elementarem Silizium aus Siliziumoxiden der Formel SixOy, wobei x ≥ 1 und y > 1, insbesondere Siliziumdioxid. Das erfindungsgemäße Verfahren umfasst die Schritte: a) Reduktion des Siliziumoxides zu Siliziummonoxid mittels eines gasförmigen Reduktionsmittels bei einer Temperatur von 1000°C bis 2500°C, wobei sich eine Gasphase enthaltend das Siliziummonoxid bildet b) Reduktion des im Schritt a) entstandenen Siliziummonoxides mittels eines gasförmigen Reduktionsmittels bei einer Temperatur von 1500°C oder mehr, wobei sich elementares Silizium, welches abgetrennt wird, und eine verbleibende Gasphase bilden.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)