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1. (WO2018141509) CIRCUIT À SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
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N° de publication : WO/2018/141509 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/050390
Date de publication : 09.08.2018 Date de dépôt international : 09.01.2018
CIB :
H02M 7/537 (2006.01) ,H02M 7/00 (2006.01) ,H01L 29/00 (2006.01) ,H03K 17/567 (2006.01) ,H03K 17/687 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
02
PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
M
APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALIMENTATION SIMILAIRES; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION
7
Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu; Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
42
Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité
44
par convertisseurs statiques
48
utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
53
utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande
537
utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. onduleurs à impulsions à un seul commutateur
H ÉLECTRICITÉ
02
PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
M
APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALIMENTATION SIMILAIRES; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION
7
Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu; Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
17
Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
51
caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés
56
par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs
567
Circuits caractérisés par l'utilisation d'au moins deux types de dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. BIMOS, dispositifs composites tels que IGBT
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
17
Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
51
caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés
56
par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs
687
les dispositifs étant des transistors à effet de champ
Déposants :
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Werner-von-Siemens-Straße 1 80333 München, DE
Inventeurs :
DONAT, Albrecht; DE
HEINEMANN, Gerhard; DE
IBACH, Frank; DE
IMRICH, Franz; DE
JUNGWIRTH, Thomas; DE
LORZ, Roland; DE
NAMYSLO, Lutz; DE
WEIDAUER, Jens; DE
Données relatives à la priorité :
17154499.203.02.2017EP
Titre (EN) POWER SEMICONDUCTOR CIRCUIT
(FR) CIRCUIT À SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
(DE) LEISTUNGSHALBLEITERSCHALTUNG
Abrégé :
(EN) The invention relates to a power semiconductor circuit, comprising: two direct-voltage connection points; at least one half-bridge, which is connected between the direct-voltage connection points, the half-bridge comprising two switching units connected in series, each switching unit comprising one power semiconductor switch or a plurality of power semiconductor switches connected in parallel; an alternating-voltage connection point for each of the half-bridges; a gate driver circuit for each of the switching units; a commutation capacitor in parallel with the half-bridge; a module controller; a measuring device for determining the current to the alternating-voltage connection point; the half-bridge, the commutation capacitor and the gate driver circuit being mounted on a common printed circuit board.
(FR) L'invention concerne un circuit de puissance à semi-conducteurs comprenant - deux bornes de tension continue, - au moins un demi-pont qui est monté entre les bornes de tension continue, le demi-pont comportant deux unités de circuit montées en série, chaque unité de circuit comportant un interrupteur de puissance à semi-conducteurs ou plusieurs interrupteurs de puissance à semi-conducteurs montés en parallèle, - une borne de tension alternative pour chaque demi-pont, - un circuit d’attaque de grille pour chaque unité de circuit, - un condensateur de commutation parallèle au demi-pont, - une commande de module, - un dispositif de mesure destiné à la détermination du courant circulant vers la borne de tension continue, le demi-pont, le condensateur de commutation et le circuit d’attaque de grille étant construits sur une carte de circuit imprimé commune.
(DE) Leistungshalbleiterschaltung mit - zwei Gleichspannungsanschlüssen, - wenigstens einer Halbbrücke, die zwischen die Gleichspannungsanschlüsse geschaltet ist, wobei die Halbbrücke zwei seriell geschaltete Schalteinheiten umfasst, wobei jede Schalteinheit einen Leistungshalbleiterschalter oder mehrere parallel geschaltete Leistungshalbleiterschalter umfasst, - einem Wechselspannungsanschluss für jede der Halbbrücken, - einer Gate-Treiberschaltung für jede der Schalteinheiten, - einem Kommutierungskondensator parallel zur Halbbrücke, - einer Modulsteuerung, - einer Messeinrichtung zur Bestimmung des Stroms zum Wechselspannungsanschluss, wobei die Halbbrücke, der Kommutierungskondensator und die Gate-Treiberschaltung auf einer gemeinsamen Leiterplatte aufgebaut sind.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)