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1. (WO2018141450) PROCÉDÉ ET SYSTÈME D'ACCROISSEMENT DE LA PRÉCISION DE POSITIONNEMENT DE MOTIFS
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N° de publication : WO/2018/141450 N° de la demande internationale : PCT/EP2017/082547
Date de publication : 09.08.2018 Date de dépôt international : 13.12.2017
CIB :
G03F 7/20 (2006.01) ,G03F 1/72 (2012.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20
Exposition; Appareillages à cet effet
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1
Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
68
Procédés de préparation non couverts par les groupes G03F1/20-G03F1/50105
72
Réparation ou correction des défauts dans un masque
Déposants :
ASML NETHERLANDS B.V. [NL/NL]; P.O. Box 324 5500 AH Veldhoven, NL
Inventeurs :
TEN BERGE, Peter; NL
DECKERS, David, Frans, Simon; NL
WARDENIER, Peter, Hanzen; NL
Mandataire :
PETERS, John; NL
Données relatives à la priorité :
62/452,84331.01.2017US
Titre (EN) METHOD AND SYSTEM FOR INCREASING ACCURACY OF PATTERN POSITIONING
(FR) PROCÉDÉ ET SYSTÈME D'ACCROISSEMENT DE LA PRÉCISION DE POSITIONNEMENT DE MOTIFS
Abrégé :
(EN) A method including: obtaining error information indicative of accuracy of positioning a pattern formed on a layer on a substrate relative to a target position, wherein the pattern has been formed by irradiating the layer with a radiation beam patterned by a patterning device; and producing modification information including a map of positional shifts across the patterning device so as to increase the accuracy of positioning the pattern formed using the patterning device modified according to the modification information, the modification information based on the error information, wherein the error information is independent of any other layer on the substrate.
(FR) Cette invention concerne un procédé comprenant les étapes consistant à : obtenir des informations d'erreur indiquant la précision du positionnement d'un motif formé sur une couche sur un substrat par rapport à une position cible, le motif ayant été formé par irradiation de la couche avec un faisceau de rayonnement modelé par un dispositif de formation de motifs ; et produire des informations de modification comprenant une carte de décalages de position à travers le dispositif de formation de motifs de sorte à accroître la précision de positionnement du motif formé à l'aide du dispositif de formation de motifs modifié selon les informations de modification, les informations de modification étant basées sur les informations d'erreur, les informations d'erreur étant indépendantes de toute autre couche sur le substrat.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)