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1. (WO2018141088) RÉDUCTION AU PLASMA D'OXYDE NITREUX À PARTIR D'EFFLUENTS DE PROCESSUS DE SEMI-CONDUCTEURS
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N° de publication : WO/2018/141088 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/072866
Date de publication : 09.08.2018 Date de dépôt international : 03.02.2017
CIB :
B01D 53/56 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01)
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
01
PROCÉDÉS OU APPAREILS PHYSIQUES OU CHIMIQUES EN GÉNÉRAL
D
SÉPARATION
53
Séparation de gaz ou de vapeurs; Récupération de vapeurs de solvants volatils dans les gaz; Épuration chimique ou biologique des gaz résiduaires, p.ex. gaz d'échappement des moteurs à combustion, fumées, vapeurs, gaz de combustion ou aérosols
34
Epuration chimique ou biologique des gaz résiduaires
46
Elimination des composants de structure définie
54
Composés de l'azote
56
Oxydes d'azote
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205
en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
Déposants :
HO, Dustin W [US/CN]; CN (KP)
APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
HO, Dustin W; CN
VANGOMPEL, Joseph A.; US
YUAN, Zheng; US
L'HEUREU, James; US
DOWNEY, Ryan T.; US
Mandataire :
LECOME INTELLECTUAL PROPERTY AGENT LTD.; Floor 16, Tower B of IN.DO Mansion No.48-Jia Zhichun Road Haidian District Beijing 100098, CN
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) PLASMA ABATEMENT OF NITROUS OXIDE FROM SEMICONDUCTOR PROCESS EFFLUENTS
(FR) RÉDUCTION AU PLASMA D'OXYDE NITREUX À PARTIR D'EFFLUENTS DE PROCESSUS DE SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé :
(EN) Provided a method for abating N 2O gas present in an effluent of semiconductor manufacturing processes. The method includes injecting hydrogen gas and/or ammonia gas into a plasma source(100), and an effluent containing N 2O gas and the hydrogen and/or ammonia gas are energized and reacted to form an abated material. By using the hydrogen gas or the ammonia gas, the destruction and removal efficiency (DRE) of the N 2O gas is at least 50 percent while the concentration of nitric oxide (NO) and/or nitrogen dioxide (NO 2) in the abated material is substantially reduced, such as at most 5000 parts per million (ppm) by volume.
(FR) L'invention concerne un procédé de réduction de gaz N 2O présent dans un effluent de processus de fabrication de semi-conducteurs. Le procédé comprend l'injection de gaz hydrogène et/ou de gaz ammoniac dans une source de plasma (100), et un effluent contenant un gaz N 2O et des gaz hydrogène et/ou ammoniac sont excités et amenés à réagir pour former un matériau réduit. En utilisant le gaz hydrogène ou le gaz ammoniac, l'efficacité de destruction et d'élimination (DRE) du gaz N 2O est d'au moins 50 % tandis que la concentration en oxyde nitrique (NO) et/ou en dioxyde d'azote (NO 2) dans le matériau réduit est sensiblement réduite, comme par exemple maximum 5000 parties par million (ppm) en volume.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)