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1. (WO2018140493) GRAVURE ISOTROPE D'UN FILM AVEC COMMANDE DE COUCHE ATOMIQUE
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N° de publication : WO/2018/140493 N° de la demande internationale : PCT/US2018/015046
Date de publication : 02.08.2018 Date de dépôt international : 24.01.2018
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/3213 (2006.01) ,H01J 37/32 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065
Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3205
Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
321
Post-traitement
3213
Gravure physique ou chimique des couches, p.ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37
Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32
Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
Déposants :
LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway Fremont, California 94538, US
Inventeurs :
KIM, Yunsang; US
KWON, Hyuk-Jun; KR
PAENG, Dongwoo; US
ZHANG, He; US
Mandataire :
WIGGINS, Michael D.; US
AMBROSE, John; US
AQUINO, Damian M.; US
BARRETT, Scott D.; US
BENSON, Tyson B.; US
BERBERICH, Jeanette M.; US
BRENNAN, Michael P.; US
BROCK, Christopher M.; US
CASTELLANO, John A. III; US
CHANG, Alex C.; US
CHAPP, Jeffrey J.; US
CUTLER, Matthew L.; US
DALEY, Donald J.; US
DELASSUS, Gregory S.; US
DOERR, Michael P.; US
DOWDY, Stephanie L.; US
DRYSDALE, Nicholas S.; US
ELCHUK, Mark D.; US
ERJAVAC, Stanley M.; US
EUSEBI, Christopher A.; US
FALCOFF, Monte L.; US
FITZPATRICK, John W.; US
FORBIS, Glenn E.; US
FOSS, Stephen J.; US
FRANKLIN, Clarence C.; US
FRENTRUP, Mark A.; US
FULLER, III, Roland A.,; US
FUSSNER, Anthony G.; US
HEIST, Jason A.; US
HILTON, Michael E.; US
HOYT, Blair D.; US
KELLER, Paul A.; US
KESKAR, Hemant M.; US
KORAL, Elizabeth; US
KOTSIS, Damian H.; US
LAFATA, Joseph M.; US
LEE, Kisuk; US
LUCHSINGER, James B.; US
MACINTYRE, Timothy D.; US
MALINZAK, Michael; US
MARTIN, Timothy J.; US
MASSEY, Ryan W.; US
MEYER, Greg W.; US
MIERZWA, Kevin G.; US
MILLER, H. Keith; US
MOUSTAKAS, George D.; US
NABI, Tarik M.; US
NYE, Michael R.; US
ODELL, Elizabeth D.; US
OLSON, Stephen T.; US
PANKA, Brian G.; US
RAKERS, Leanne; US
ROBINSON, Douglas A.; US
SCHIVLEY, G. Gregory; US
SCHMIDT, Michael J.; US
SEITZ, Brent G.; US
SIMINSKI, Robert M.; US
SMITH, Corey E.; US
SMITH, Michael L.; US
SNYDER, Jeffrey L.; US
STOBBS, Gregory A.; US
STRAUSS, Ryan N.; US
SUTER, David L.; US
TAYLOR, Michael L.; US
TAYLOR, W.R. Duke; US
TEICH, Michael L.; US
THOMAS, Michael J.; US
TUCKER, JR., David J.; US
UTYKANSKI, David P.; US
VARCO, Michael A.; US
WADE, Bryant E.; US
WALKER, Donald G.; US
WALSH, Joseph E., Jr.; US
WANGEROW, Steven D.; US
WARNER, Richard W.; US
WAXMAN, Andrew M.; US
WELCH, Gerald T.; US
WHEELOCK, Bryan K.; US
WOODSIDE WOJTALA, Jennifer; US
YACURA, Gary D.; US
ZALOBSKY, Michael D.; US
Données relatives à la priorité :
15/876,57622.01.2018US
62/451,38327.01.2017US
62/612,84502.01.2018US
Titre (EN) ISOTROPIC ETCHING OF FILM WITH ATOMIC LAYER CONTROL
(FR) GRAVURE ISOTROPE D'UN FILM AVEC COMMANDE DE COUCHE ATOMIQUE
Abrégé :
(EN) A method for isotropically etching film on a substrate with atomic layer control includes a) providing a substrate including a material selected from a group consisting of silicon (Si), germanium (Ge) and silicon germanium (SiGe). The method includes b) depositing a sacrificial layer on the material in a processing chamber by: cooling a lower portion of the substrate; one of creating or supplying an oxidant-containing plasma in the processing chamber; and increasing a surface temperature of the substrate for a predetermined period using rapid thermal heating while creating or supplying the oxidant-containing plasma in the processing chamber. The method includes c) purging the processing chamber. The method includes d) etching the sacrificial layer and the material by supplying an etch gas mixture and striking plasma in the processing chamber.
(FR) L'invention concerne un procédé destiné à la gravure isotrope d'un film sur un substrat avec une commande de couche atomique comprenant a) la fourniture d'un substrat comprenant un matériau choisi dans un groupe constitué par le silicium (Si), le germanium (Ge) et le silicium-germanium (SiGe). Le procédé comprend b) le dépôt d'une couche sacrificielle sur le matériau dans une chambre de traitement par : refroidissement d'une partie inférieure du substrat ; création d'un plasma contenant un oxydant dans la chambre de traitement ou alimentation de la chambre de traitement en plasma contenant un oxydant ; augmentation d'une température de surface du substrat pendant une période prédéfinie au moyen d'un chauffage thermique rapide tout en créant le plasma contenant un oxydant dans la chambre de traitement ou en alimentant la chambre de traitement en plasma contenant un oxydant. Le procédé comprend c) le nettoyage de la chambre de traitement. Le procédé comprend d) la gravure de la couche sacrificielle et du matériau par alimentation de la chambre de traitement en plasma et par déchargement du plasma dans la chambre de traitement.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)