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1. (WO2018140131) DISPOSITIF À PAS SOUS-MINIMAL ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2018/140131 N° de la demande internationale : PCT/US2017/063416
Date de publication : 02.08.2018 Date de dépôt international : 28.11.2017
CIB :
H01L 27/24 (2006.01) ,H01L 27/22 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
24
comprenant des composants à l'état solide pour le redressement, l'amplification ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
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comprenant des composants utilisant les effets galvanomagnétiques, p.ex. effet Hall; utilisant des effets de champ magnétique analogues
Déposants :
SANDISK TECHNOLOGIES LLC [US/US]; 6900 Dallas Parkway, Suite 325 Plano, Texas 75024, US
Inventeurs :
KATINE, Jordan Asher; US
PETTI, Christopher J.; US
CHEN, Yangyin; US
Mandataire :
MAGEN, Burt; US
Données relatives à la priorité :
15/414,96125.01.2017US
Titre (EN) DEVICE WITH SUB-MINIMUM PITCH AND METHOD OF MAKING
(FR) DISPOSITIF À PAS SOUS-MINIMAL ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé :
(EN) A method is provided that includes forming a first level above a substrate, forming a second level above the first level, and forming a third level above the second level. The first level includes a plurality of first elements having a first minimum pitch, the second level includes a plurality of second elements having a second minimum pitch greater than the first minimum pitch, and the third level includes a plurality of third elements having a third minimum pitch greater than the first minimum pitch. The second elements are disposed above and aligned with a first plurality of the first elements, and the third elements are disposed above and aligned with a second plurality of the first elements.
(FR) L'invention concerne un procédé qui comprend la formation d'un premier niveau au-dessus d'un substrat, la formation d'un second niveau au-dessus du premier niveau, et la formation d'un troisième niveau au-dessus du second niveau. Le premier niveau comprend une pluralité de premiers éléments ayant un premier pas minimal, le second niveau comprenant une pluralité de seconds éléments ayant un second pas minimal supérieur au premier pas minimal, et le troisième niveau comprend une pluralité de troisièmes éléments ayant un troisième pas minimal supérieur au premier pas minimal. Les seconds éléments sont disposés au-dessus et alignés avec une première pluralité des premiers éléments, et les troisièmes éléments sont disposés au-dessus et alignés avec une seconde pluralité des premiers éléments.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)