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1. (WO2018140104) PROCÉDÉ ET SYSTÈME DE PRÉDICTION DE DÉFAUTS DE CIRCUITS INTÉGRÉS
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N° de publication : WO/2018/140104 N° de la demande internationale : PCT/US2017/059027
Date de publication : 02.08.2018 Date de dépôt international : 30.10.2017
CIB :
G01N 21/88 (2006.01) ,G01N 21/95 (2006.01) ,G01N 21/01 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
21
Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c. à d. en utilisant des rayons infrarouges, visibles ou ultraviolets
84
Systèmes spécialement adaptés à des applications particulières
88
Recherche de la présence de criques, de défauts ou de souillures
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
21
Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c. à d. en utilisant des rayons infrarouges, visibles ou ultraviolets
84
Systèmes spécialement adaptés à des applications particulières
88
Recherche de la présence de criques, de défauts ou de souillures
95
caractérisée par le matériau ou la forme de l'objet à analyser
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
21
Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c. à d. en utilisant des rayons infrarouges, visibles ou ultraviolets
01
Dispositions ou appareils pour faciliter la recherche optique
Déposants :
DONGFANG JINGYUAN ELECTRON LIMITED [CN/CN]; 156 4th Jinghai Road, Building 12 Beijing Economic Development District Beijing, CN 10076, CN
XTAL INC. [US/US]; 97 E. Brokaw Road Suite 330 San Jose, California 95112, US
Inventeurs :
YU, Zongchang; US
LIN, Jie; US
ZHANG, Zhaoli; US
Mandataire :
XIAO, Lin; US
KNIGHT, Michelle L.; US
Données relatives à la priorité :
15/419,64330.01.2017US
Titre (EN) METHOD AND SYSTEM FOR DEFECT PREDICTION OF INTEGRATED CIRCUITS
(FR) PROCÉDÉ ET SYSTÈME DE PRÉDICTION DE DÉFAUTS DE CIRCUITS INTÉGRÉS
Abrégé :
(EN) Methods and systems for defect prediction are provided. The method includes receiving feature data of an integrated circuit (IC) and process condition data of a production process associated with the IC, and determining a care area associated with the IC using the feature data, the process condition data, and a defect prediction technique, wherein the care area includes a potential defect and is inspected by a high-resolution inspection system. Based on the provided methods and systems, care areas can be generated incorporating actual process conditions when the inspected IC is being manufactured, and fast and high-resolution IC defect inspection systems can be implemented.
(FR) L’invention concerne des procédés et des systèmes de prédiction de défauts. Le procédé consiste à recevoir des données d’attributs d’un circuit intégré (CI) et des données de conditions de processus d’un processus de production associé au CI, et à déterminer une zone de soin associée au CI au moyen des données d’attributs, des données de conditions de processus, et d’une technique de prédiction de défauts, la zone de soin incluant un défaut potentiel et étant inspectée par un système d’inspection à haute résolution. Sur la base des procédés et des systèmes selon l’invention, des zones de soin peuvent être générées en incorporant des conditions de processus réelles lorsque le CI inspecté est fabriqué, et des systèmes d’inspection de défauts de CI rapides et à haute résolution peuvent être réalisés.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)