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1. (WO2018139945) FEUILLE OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE FEUILLE OPTOÉLECTRONIQUE
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N° de publication : WO/2018/139945 N° de la demande internationale : PCT/PL2018/000008
Date de publication : 02.08.2018 Date de dépôt international : 24.01.2018
CIB :
H01L 31/0224 (2006.01) ,H01L 51/00 (2006.01) ,H01L 31/0392 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02
Détails
0224
Electrodes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
0248
caractérisés par leurs corps semi-conducteurs
036
caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins
0392
comprenant des films minces déposés sur des substrats métalliques ou isolants
Déposants :
SAULE SP. Z O.O. [PL/PL]; Postępu 14B 02-676 Warszawa, PL
Inventeurs :
WOJCIECHOWSKI, Konrad; PL
MALINKIEWICZ, Olga; PL
BURSA, Bartosz; PL
PRIETO RUIZ, Juan Pablo; ES
WILK, Barbara; PL
KUPCZUNAS, Artur; PL
Mandataire :
JANOSZEK, Joanna; JWP Rzecznicy Patentowi Dorota Rzążewska sp.j. WPT Budynek Alfa ul. Klecińska 123 54-413 Wrocław, PL
Données relatives à la priorité :
P.42030025.01.2017PL
Titre (EN) OPTOELECTRONIC FOIL AND MANUFACTURING METHOD OF OPTOELECTRONIC FOIL
(FR) FEUILLE OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE FEUILLE OPTOÉLECTRONIQUE
Abrégé :
(EN) An optoelectronic foil characterised in that it comprises a substrate (11) and a conductive layer (13) comprising at least one oxide layer (131, 133) and at least one metal layer (132), wherein between the conductive layer (13) and the substrate (11) of the foil (10) there is a barrier layer (12) comprising at least one material selected from the group consisting of silicon oxides (SiOx), aluminium oxides (AI2O3, AlOxNy), titanium oxides (TiOx), silicon oxynitrides SiON, silicon nitrides (Si3N4, SiNx), organic silicon compounds (SiCxHy), zirconium oxide (ZrO2), hafnium oxide (HfO2), chromium oxides (CrO, Cr2O3, CrO2, CrO3, CrO5) and parylene.
(FR) La présente invention concerne une feuille optoélectronique qui est caractérisée en ce qu'elle comprend un substrat (11) et une couche conductrice (13) comprenant au moins une couche d'oxyde (131, 133) et au moins une couche métallique (132). Entre la couche conductrice (13) et le substrat (11) de la feuille (10) se trouve une couche barrière (12) comprenant au moins un matériau choisi dans le groupe constitué par des oxydes de silicium (SiOx), des oxydes d'aluminium (AI2O3, AlOxNy), des oxydes de titane (TiOx), des oxynitrures de silicium SiON, des nitrures de silicium (Si3N4, SiNx), des composés de silicium organique (SiCxHy), de l'oxyde de zirconium (ZrO2), de l'oxyde d'hafnium (HfO2), des oxydes de chrome (CrO, Cr2O3, CrO2, CrO3, CrO5) et du parylène.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : polonais (PL)