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1. (WO2018139803) BOÎTIER DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2018/139803 N° de la demande internationale : PCT/KR2018/000794
Date de publication : 02.08.2018 Date de dépôt international : 17.01.2018
CIB :
H01L 33/50 (2010.01) ,H01L 33/60 (2010.01) ,H01L 33/62 (2010.01) ,H01L 33/20 (2010.01) ,H01L 33/58 (2010.01) ,H01L 33/56 (2010.01) ,H01L 33/10 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
50
Éléments de conversion de la longueur d'onde
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
58
Éléments de mise en forme du champ optique
60
Éléments réfléchissants
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
62
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
20
ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
58
Éléments de mise en forme du champ optique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
52
Encapsulations
56
Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
10
ayant une structure réfléchissante, p.ex. réflecteur de Bragg en semi-conducteur
Déposants :
엘지이노텍 주식회사 LG INNOTEK CO., LTD. [KR/KR]; 서울시 중구 후암로 98 (남대문로5가) (Namdaemunno 5-ga) 98, Huam-ro Jung-gu Seoul 04637, KR
Inventeurs :
문지형 MOON, Ji Hyung; KR
김경운 KIM, Kyoung Un; KR
박선우 PARK, Sun Woo; KR
송준오 SONG, June O; KR
오선우 OH, Sun Woo; KR
이상준 LEE, Sang Jun; KR
정환희 JEONG, Hwan Hee; KR
한명호 HAN, Myung Ho; KR
Mandataire :
특허법인(유)화우 YOON & YANG (IP) LLC; 서울시 강남구 테헤란로 108길 11, 4층 (대치동, 삼호빌딩) (Samho Bldg., Daechi-dong) 4th Fl., 11, Teheran-ro 108-gil Gangnam-gu Seoul 06175, KR
Données relatives à la priorité :
10-2017-001079024.01.2017KR
10-2017-003753524.03.2017KR
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGE
(FR) BOÎTIER DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(KO) 반도체 소자 패키지
Abrégé :
(EN) A semiconductor device package according to the present invention comprises: a semiconductor device including a substrate, a light-emitting structure, and a first pad and second pad electrically connected to the light-emitting structure; a wavelength converting unit disposed to surround the upper surface and side surfaces of the semiconductor device; and a light control unit disposed on the wavelength converting unit, wherein the wavelength converting unit may include an upper surface spaced a first spacing interval apart in a vertical direction from the semiconductor device, and a side surface spaced a second spacing interval apart in a horizontal direction from the semiconductor device. The present invention relates to a semiconductor device package and a light source module. A semiconductor device package according to the present invention may include a semiconductor device for emitting light, a wavelength converting unit, and a light control unit and may emit white light in directions of four side surfaces surrounding the wavelength converting unit and in an upward direction of the light control unit. A wavelength converting unit according to the present invention may be disposed at the upper surface of a semiconductor device and four side surfaces surrounding the semiconductor device, receive light emitted from the semiconductor device and incident thereto and diffuse the received light, convert the wavelength of light incident thereto and provide the converted light, and emit white light in four side surface directions and in an upward direction. A light control unit according to the present invention may be disposed on the upper surface of a wavelength converting unit, reflect a part of white light incident thereon from the wavelength converting unit, and transmit a part of the white light.
(FR) Un boîtier de dispositif à semi-conducteur selon la présente invention comprend : un dispositif à semi-conducteur comprenant un substrat, une structure électroluminescente, et un premier plot et un deuxième plot électriquement connectés à la structure électroluminescente ; une unité de conversion de longueur d’onde disposée de façon à entourer la surface supérieure et les surfaces latérales du dispositif à semi-conducteur ; et une unité de commande de lumière disposée sur l’unité de conversion de longueur d’onde, l’unité de conversion de longueur d’onde pouvant comprendre une surface supérieure espacée à un premier intervalle d’espacement dans une direction verticale par rapport au dispositif à semi-conducteur, et une surface latérale espacée à un deuxième intervalle d’espacement dans une direction horizontale par rapport au dispositif à semi-conducteur. La présente invention concerne un boîtier de dispositif à semi-conducteur et un module de source de lumière. Un boîtier de dispositif à semi-conducteur selon la présente invention peut comprendre un dispositif à semi-conducteur pour émettre de la lumière, une unité de conversion de longueur d’onde, et une unité de commande de lumière et peut émettre une lumière blanche dans les directions de quatre surfaces latérales entourant l’unité de conversion de longueur d’onde et dans une direction montante de l’unité de commande de lumière. Une unité de conversion de longueur d’onde selon la présente invention peut être disposée au niveau de la surface supérieure d’un dispositif à semi-conducteur et de quatre surfaces latérales entourant le dispositif à semi-conducteur, recevoir la lumière émise par le dispositif à semi-conducteur et incidente sur celle-ci et diffuser la lumière reçue, convertir la longueur d’onde de la lumière incidente sur celle-ci et produire la lumière convertie, et émettre une lumière blanche dans quatre directions de surface latérale et dans une direction montante. Une unité de commande de lumière selon la présente invention peut être disposée sur la surface supérieure d’une unité de conversion de longueur d’onde, réfléchir une partie de la lumière blanche incidente sur celle-ci provenant de l’unité de conversion de longueur d’onde, et transmettre une partie de la lumière blanche.
(KO) 본 발명에 따른 반도체소자패키지는 기판, 발광구조물, 상기 발광구조물과 전기적으로 연결되는 제1패드 및 제2패드를 포함하는 반도체소자; 상기 반도체소자의 상면과 측면을 감싸며 배치되는 파장 변환부; 및 상기 파장 변환부 상에 배치되는 광제어부;를 포함하고, 상기 파장변환부는 상기 반도체소자와 수직방향으로 제1이격거리를 갖는 상면 및 상기 반도체소자와 수평 방향으로 제2이격거리를 갖는 측면을 포함할 수 있다. 본 발명은 반도체 소자 패키지 및 광원 모듈에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체 소자 패키지는, 빛을 발광하는 반도체 소자, 파장 변환부, 광 제어부를 포함하고, 파장 변환부를 둘러싼 네 개의 측면 방향과 광 제어부의 상부 방향으로 백색광을 방출할 수 있다. 본 발명에 따른 파장 변환부는, 반도체 소자의 상부 면과 반도체 소자를 둘러싼 네 개의 측면에 배치되고, 반도체 소자로부터 발광된 빛을 입사 받고 산란시키며, 입사된 빛을 파장 변환하여 제공하고, 네 개의 측면 방향과 상부 방향으로 백색광을 방출할 수 있다. 본 발명에 따른 광 제어부는, 파장 변환부의 상부 면에 배치되고, 파장 변환부로부터 입사되는 백색광에 대해 일부는 반사시키고 일부는 투과시킬 수 있다.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)