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1. (WO2018139704) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM MINCE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN
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N° de publication : WO/2018/139704 N° de la demande internationale : PCT/KR2017/002623
Date de publication : 02.08.2018 Date de dépôt international : 10.03.2017
CIB :
H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/324 (2006.01) ,H01L 21/285 (2006.01) ,H01L 21/28 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
324
Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28
Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
283
Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes
285
à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28
Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
Déposants :
강원대학교산학협력단 KANGWON NATIONAL UNIVERSITY UNIVERSITY-INDUSTRY COOPERATION FOUNDATION [KR/KR]; 강원도 춘천시 강원대학길 1 1, Gangwondaehak-gil Chuncheon-si Gangwon-do 24341, KR
Inventeurs :
윤종환 YOON, Jong Hwan; KR
Mandataire :
특허법인 빛과소금 LIGHT AND SALT PATENT AND LAW FIRM; 서울시 금천구 가산디지털2로 108, 314호 314ho, 108 Gasan digital 2-ro Geumcheon-gu Seoul 08506, KR
Données relatives à la priorité :
10-2017-001176425.01.2017KR
Titre (EN) METHOD FOR FORMING POLYCRYSTALLINE SILICON THIN FILM
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM MINCE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN
(KO) 다결정 실리콘 박막 형성 방법
Abrégé :
(EN) The present invention provides a method for forming a polycrystalline silicon thin film, the method comprising: a metal layer deposition step of depositing, on a substrate, a metal acting as a catalyst for forming a polycrystalline silicon thin film; a silicon oxide layer deposition step of depositing a silicon oxide layer on the metal layer deposited in the metal layer deposition step; and an annealing step of performing heat treatment so as to form a polycrystalline silicon thin film layer on the substrate on which the metal layer and the silicon oxide layer have been deposited through the metal layer deposition step and the silicon oxide layer deposition step.
(FR) La présente invention concerne un procédé de formation d'un film mince de silicium polycristallin, le procédé comprenant : une étape de dépôt de couche métallique consistant à déposer, sur un substrat, un métal servant de catalyseur pour former un film mince de silicium polycristallin; une étape de dépôt de couche d'oxyde de silicium consistant à déposer une couche d'oxyde de silicium sur la couche métallique déposée dans l'étape de dépôt de couche métallique; et une étape de recuit consistant à effectuer un traitement thermique de manière à former une couche de film mince de silicium polycristallin sur le substrat sur lequel la couche métallique et la couche d'oxyde de silicium ont été déposées par l'étape de dépôt de couche métallique et l'étape de dépôt de couche d'oxyde de silicium.
(KO) 본 발명은 다결정 실리콘 박막을 형성하기 위한 촉매로 작용하는 금속을 기판 상에 증착하는 금속층 증착단계; 상기 금속층 증착단계에서 증착된 금속층 상에 산화실리콘층을 증착하는 산화실리콘층 증착단계; 및 상기 금속층 증착단계 및 상기 산화실리콘층 증착단계를 통해 상기 금속층 및 산화실리콘층이 증착된 기판 상에 다결정 실리콘 박막층이 형성되도록 열처리하는 어닐링 단계;를 포함하는 다결정 실리콘 박막 형성 방법을 제공한다.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)