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1. (WO2018139631) DISPOSITIF D'ÉTANCHÉITÉ EN RÉSINE ET PROCÉDÉ D'ÉTANCHÉITÉ EN RÉSINE
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N° de publication : WO/2018/139631 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/002656
Date de publication : 02.08.2018 Date de dépôt international : 29.01.2018
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 24.05.2018
CIB :
H01L 21/56 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
56
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
Déposants :
信越エンジニアリング株式会社 SHIN-ETSU ENGINEERING CO., LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区神田錦町2丁目9番地 9, Kanda Nishikicho 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010054, JP
Inventeurs :
大谷 義和 OHTANI Yoshikazu; JP
森 寛治 MORI Hiroharu; JP
高橋 光 TAKAHASHI Hiroshi; JP
Mandataire :
特許業務法人 英知国際特許事務所 EICHI PATENT & TRADEMARK CORP.; 東京都文京区千石4丁目45番13号 45-13, Sengoku 4-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1120011, JP
Données relatives à la priorité :
PCT/JP2017/00320330.01.2017JP
Titre (EN) RESIN SEALING DEVICE AND RESIN SEALING METHOD
(FR) DISPOSITIF D'ÉTANCHÉITÉ EN RÉSINE ET PROCÉDÉ D'ÉTANCHÉITÉ EN RÉSINE
(JA) 樹脂封止装置及び樹脂封止方法
Abrégé :
(EN) In order to accommodate various molded article type changes by merely exchanging a second molding die, the present invention is equipped with: a first molding die having a pressing section for a workpiece having a semiconductor element mounted thereon; a second molding die having a cavity to which an uncured resin is supplied and provided so as to face the workpiece mounting surface on which the semiconductor element is mounted; an openable/closable sealing chamber formed between the first molding die and the second molding die; a drive unit for moving the first molding die and/or the second molding die in a manner such that the first and second molding dies become closer relative to one another in the direction in which the dies face one another; a pressurization mechanism having a plunger for applying pressure to the uncured resin inside the cavity in the sealed chamber; and a control unit for controlling the operation of the drive unit and the plunger. Therein, the pressurization mechanism has an uncured resin overflow channel provided in the second molding die inside the sealed chamber so as to be continuous with the cavity, and a plunger provided in the second molding die so as to be capable of moving and projecting toward the overflow channel. The first molding die has a first covering section provided so as to face the cavity, a second covering section provided so as to face the overflow channel, and a third covering section provided so as to face the plunger. The first covering section, the second covering section, and the third covering section are continuously formed with one another. The control unit controls the drive unit so as to immerse the workpiece mounting surface and the semiconductor element in the uncured resin inside the cavity, by moving the first and second molding dies so as to approach one another, and while in a state where the uncured resin inside the cavity has flowed into the overflow channel in response to the immersion, causes the plunger to move and project into the overflow channel toward the third covering section.
(FR) Afin de s'adapter à divers changements de type d'article moulé par simple échange d'une seconde matrice de moulage, la présente invention est équipée : d'une première matrice de moulage ayant une section de pression pour une pièce à travailler ayant un élément semiconducteur monté sur celle-ci; une seconde matrice de moulage ayant une cavité à laquelle une résine non durcie est fournie et disposée de façon à faire face à la surface de montage de pièce à travailler sur laquelle est monté l'élément semiconducteur; une chambre d'étanchéité pouvant être ouverte/fermée formée entre la première matrice de moulage et la seconde matrice de moulage; une unité d'entraînement pour déplacer la première matrice de moulage et/ou la seconde matrice de moulage d'une manière telle que les première et seconde matrices de moulage se rapprochent l'une de l'autre dans la direction dans laquelle les matrices se font face; un mécanisme de mise sous pression ayant un piston pour appliquer une pression à la résine non durcie à l'intérieur de la cavité dans la chambre d'étanchéité ; et une unité de commande pour commander le fonctionnement de l'unité d'entraînement et du piston. Dans celui-ci, le mécanisme de mise sous pression comporte un canal de trop-plein de résine non durci disposé dans la seconde matrice de moulage à l'intérieur de la chambre d'étanchéité de façon à être continu avec la cavité, et un piston disposé dans la seconde matrice de moulage de façon à pouvoir se déplacer et 0 se projeter vers le canal de trop-plein. La première matrice de moulage a une première section de recouvrement disposée de façon à faire face à la cavité, une seconde section de recouvrement disposée de façon à faire face au canal de trop-plein, et une troisième section de recouvrement disposée de façon à faire face au piston. La première section de recouvrement, la seconde section de recouvrement et la troisième section de recouvrement sont formées en continu les unes avec les autres. L'unité de commande commande l'unité d'entraînement de manière à immerger la surface de montage de pièce à travailler et l'élément semiconducteur dans la résine non durcie à l'intérieur de la cavité, en déplaçant les première et seconde matrices de moulage de façon à se rapprocher l'une de l'autre, et dans un état dans lequel la résine non durcie à l'intérieur de la cavité s'est écoulée dans le canal de trop-plein en réponse à l'immersion, amène le piston à se déplacer et à faire saillie dans le canal de trop-plein vers la troisième section de recouvrement.
(JA) 多様な成形品の品種変更に対して第二成形型の交換だけで対応する。 半導体素子が搭載されたワークの押圧部を有する第一成形型と、ワークの半導体素子が搭載される載置面と対向状に設けられて未硬化樹脂が供給されるキャビティを有する第二成形型と、第一成形型及び第二成形型の間に形成される開閉自在な密閉室と、第一成形型又は第二成形型のいずれか一方か若しくは両方を第一成形型及び第二成形型の対向方向へ相対的に接近移動させる駆動部と、密閉室においてキャビティ内の未硬化樹脂を加圧するプランジャを有する加圧機構と、駆動部及びプランジャを作動制御する制御部と、を備え、加圧機構は、密閉室内で第二成形型にキャビティと連続して設けられる未硬化樹脂の越流路と、第二成形型に越流路へ向けて突出移動自在に設けられるプランジャと、を有し、第一成形型は、キャビティと対向して設けられる第一被蓋部位と、越流路と対向して設けられる第二被蓋部位と、プランジャと対向して設けられる第三被蓋部位と、を有し、第一被蓋部位,第二被蓋部位及び第三被蓋部位が連続形成され、制御部は、駆動部による第一成形型及び第二成形型の相対的な接近移動で、ワークの載置面及び半導体素子がキャビティ内の未硬化樹脂に浸漬され、この浸漬に伴いキャビティ内の未硬化樹脂が越流路に流出した状態で、プランジャが第三被蓋部位へ向けて越流路内に突出移動するように制御する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)