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1. (WO2018139528) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN FILM D'OXYDE D'ALUMINIUM
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N° de publication : WO/2018/139528 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/002251
Date de publication : 02.08.2018 Date de dépôt international : 25.01.2018
CIB :
C23C 14/34 (2006.01) ,C23C 14/08 (2006.01) ,H01L 21/316 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
34
Pulvérisation cathodique
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
06
caractérisé par le matériau de revêtement
08
Oxydes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
314
Couches inorganiques
316
composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde
Déposants :
株式会社 アルバック ULVAC, INC. [JP/JP]; 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543, JP
Inventeurs :
逸見 充則 HENMI, Mitsunori; JP
中村 真也 NAKAMURA, Shinya; JP
池田 佳広 IKEDA, Yoshihiro; JP
橋本 一義 HASHIMOTO, Kazuyoshi; JP
Mandataire :
恩田 誠 ONDA, Makoto; JP
恩田 博宣 ONDA, Hironori; JP
Données relatives à la priorité :
2017-01217726.01.2017JP
Titre (EN) METHOD FOR FORMING ALUMINUM OXIDE FILM
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN FILM D'OXYDE D'ALUMINIUM
(JA) 酸化アルミニウム膜の形成方法
Abrégé :
(EN) The method for forming an aluminum oxide film according to the present invention includes performing a sequence of processing once for each substrate using a single vacuum chamber provided with a target having aluminum oxide as a main component thereof. The sequence of processing comprises loading (step S11) of a substrate into a vacuum chamber, supplying of a sputtering gas to the vacuum chamber, formation (step S13) of an aluminum oxide film on the substrate, comprising generating a plasma using the sputtering gas and sputtering of the target using the plasma, stoppage of plasma generation, and unloading (step S14) of the substrate from the vacuum chamber. Processing subsequent to a previous formation until before the current formation is designated as processing between film formations, and at least one instance of a plurality of successive instances of processing between film formations includes supplying and stopping a supply of oxygen gas to the vacuum chamber (step S12).
(FR) Cette invention concerne un procédé de formation d'un film d'oxyde d'aluminium comprenant la mise en oeuvre d'une séquence de traitement à raison d'une fois pour chaque substrat dans une chambre à vide unique renfermant une cible à base d'oxyde d'aluminium à titre de composant principal. La séquence de traitement comprend le chargement (étape S11) d'un substrat dans une chambre à vide, l'injection d'un gaz de pulvérisation dans la chambre à vide, la formation (étape S13) d'un film d'oxyde d'aluminium sur le substrat, comprenant la génération d'un plasma à l'aide du gaz de pulvérisation et la pulvérisation de la cible à l'aide du plasma, l'arrêt de la génération de plasma et le déchargement (étape S14) du substrat de la chambre à vide. Le traitement faisant suite à une formation précédente avant formation actuelle est désigné "traitement entre deux formations de film", et au moins un cas d'une pluralité de cas successifs de traitement entre deux formations de film comprend l'injection et l'arrêt d'injection d'oxygène gazeux dans la chambre à vide (étape S12).
(JA) 酸化アルミニウム膜の形成方法は、酸化アルミニウムを主成分とするターゲットを備えた単一の真空室を用いて各基板に対して1回ずつ一連の処理を行うことを含む。一連の処理は、基板の真空室への搬入(ステップS11)と、スパッタガスの真空室への供給と、スパッタガスを用いたプラズマの生成、および、プラズマを用いたターゲットのスパッタから構成される、基板への酸化アルミニウム膜の形成(ステップS13)と、プラズマの生成の停止と、基板の真空室からの搬出(ステップS14)とから構成される。前回の形成後から今回の形成前までの処理を成膜間処理とし、連続する複数の成膜間処理のなかの少なくとも1つに、酸素ガスの真空室への供給と停止(ステップS12)とを含む。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)