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1. (WO2018139450) SUBSTRAT À MATRICE ACTIVE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE L'UTILISANT
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N° de publication : WO/2018/139450 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/001983
Date de publication : 02.08.2018 Date de dépôt international : 23.01.2018
CIB :
G09F 9/30 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01)
G PHYSIQUE
09
ENSEIGNEMENT; CRYPTOGRAPHIE; PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; SCEAUX
F
PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; ENSEIGNES; ÉTIQUETTES OU PLAQUES D'IDENTIFICATION; SCEAUX
9
Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels
30
dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
F
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1
Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source de lumière indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01
pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13
basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
133
Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
136
Cellules à cristaux liquides associées structurellement avec une couche ou un substrat semi-conducteurs, p.ex. cellules faisant partie d'un circuit intégré
1362
Cellules à adressage par une matrice active
1368
dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
50
spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
Déposants :
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
Inventeurs :
洪 孟逸 HUNG Meng-Yi; --
八木 敏文 YAGI Toshifumi; --
Mandataire :
奥田 誠司 OKUDA Seiji; JP
Données relatives à la priorité :
2017-01283827.01.2017JP
Titre (EN) ACTIVE MATRIX SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE USING SAME
(FR) SUBSTRAT À MATRICE ACTIVE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE L'UTILISANT
(JA) アクティブマトリクス基板およびそれを用いた表示装置
Abrégé :
(EN) Provided is an active matrix substrate comprising: a periphery circuit (GD(1)) that includes a first TFT (T5) arranged in a non-display region and a capacitor unit (CAP(1)); and a lower transparent electrode and an upper transparent electrode arranged in respective pixels, the active matrix substrate further comprising a gate metal layer (M1) that includes a first TFT gate electrode, a source metal layer (M2) that includes a first TFT source electrode, a lower transparent conductive layer (M3) that is located above the gate metal layer and the source metal layer and includes the lower transparent electrode, and an upper transparent conductive layer (M4) that includes the upper transparent electrode, wherein the capacitor unit includes a first capacitor (Ca) that has a first lower capacitor electrode (21) formed on the lower transparent conductive layer, a first upper capacitor electrode (23) formed on the upper transparent conductive layer, and a part of a dielectric layer (17) located between these capacitor electrodes.
(FR) La présente invention concerne un substrat de matrice active comprenant : un circuit périphérique (GD(1)) qui comprend un premier TFT (T5) disposé dans une région de non-affichage ainsi qu'une unité de condensateur (CAP(1)) ; et une électrode transparente inférieure ainsi qu'une électrode transparente supérieure agencées dans des pixels respectifs, le substrat de matrice active comprenant en outre une couche de métal de grille (M1) qui comprend une première électrode de grille TFT, une couche de métal source (M2) qui comprend une première électrode source TFT, une couche conductrice transparente inférieure (M3) qui est située au-dessus de la couche de métal de grille et de la couche de métal source et qui comprend l'électrode transparente inférieure et une couche conductrice transparente supérieure (M4) qui comprend l'électrode transparente supérieure, l'unité de condensateur comprenant un premier condensateur (Ca) doté d'une première électrode de condensateur inférieure (21) formée sur la couche conductrice transparente inférieure, d'une première électrode de condensateur supérieure (23) formée sur la couche conductrice transparente supérieure et d'une partie d'une couche diélectrique (17) située entre ces électrodes de condensateur.
(JA) アクティブマトリクス基板は、非表示領域に配置された第1のTFT(T5)と容量部(CAP(1))とを含む周辺回路(GD(1))と、各画素に配置された下部透明電極および上部透明電極とを備え、第1のTFTのゲート電極を含むゲートメタル層(M1)と、第1のTFTのソース電極を含むソースメタル層(M2)と、ゲートメタル層およびソースメタル層よりも上方に位置し、下部透明電極を含む下部透明導電層(M3)と、上部透明電極を含む上部透明導電層(M4)とを有し、容量部は、下部透明導電層に形成された第1下部容量電極(21)と、上部透明導電層に形成された第1上部容量電極(23)と、誘電体層(17)のうちこれらの容量電極の間に位置する部分とを有する第1容量(Ca)を含む。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)