Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales

1. (WO2018139407) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR, COMPOSITION DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE POUR REMPLISSAGE DE MOULE, ET DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2018/139407    International Application No.:    PCT/JP2018/001821
Publication Date: Fri Aug 03 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Tue Jan 23 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 21/56
G03F 7/027
G03F 7/032
G03F 7/20
H01L 23/12
H01L 23/29
H01L 23/31
H05K 3/28
Applicants: HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
日立化成株式会社
Inventors: FUKUHARA Kiichi
福原 紀一
MITSUKURA Kazuyuki
満倉 一行
TOBA Masaya
鳥羽 正也
YOSHINO Toshizumi
吉野 利純
FUSE Yoshiaki
布施 好章
Title: PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR, COMPOSITION DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE POUR REMPLISSAGE DE MOULE, ET DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
Abstract:
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur, comprenant: une étape de formation d'une partie de résine d'étanchéité comprenant une composition de résine photosensible de manière à recouvrir un ou plusieurs éléments semiconducteurs disposés sur un substrat et de manière à remplir l'espace entre les éléments semiconducteurs et le substrat et/ou l'espace entre les éléments semiconducteurs; et une étape de formation, par exposition et développement alcalin de la partie de résine d'étanchéité, une partie d'étanchéité qui forme un motif ayant une ouverture et qui contient le produit durci de la composition de résine photosensible; et une étape consistant à former une partie conductrice dans l'ouverture.