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1. (WO2018139322) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS EN CARBURE DE SILICIUM
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N° de publication : WO/2018/139322 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/001261
Date de publication : 02.08.2018 Date de dépôt international : 17.01.2018
CIB :
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 21/76 (2006.01) ,H01L 29/06 (2006.01) ,H01L 29/12 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
76
Réalisation de régions isolantes entre les composants
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
06
caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
12
caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
Déposants :
株式会社デンソー DENSO CORPORATION [JP/JP]; 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 1-1, Showa-cho, Kariya-city, Aichi 4488661, JP
トヨタ自動車株式会社 TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 愛知県豊田市トヨタ町1番地 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 4718571, JP
Inventeurs :
竹内 有一 TAKEUCHI Yuichi; JP
鈴木 優 SUZUKI Yu; JP
杉本 雅裕 SUGIMOTO Masahiro; JP
渡辺 行彦 WATANABE Yukihiko; JP
Mandataire :
特許業務法人ゆうあい特許事務所 YOU-I PATENT FIRM; 愛知県名古屋市中区錦一丁目6番5号 名古屋錦シティビル4階 Nagoya Nishiki City Bldg. 4F 1-6-5, Nishiki, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600003, JP
Données relatives à la priorité :
2017-01318227.01.2017JP
Titre (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS EN CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素半導体装置
Abrégé :
(EN) A silicon carbide semiconductor device provided with: an element separation layer (14) for electrically separating a main cell area (Rm) and a sense cell area (Rs); and electric field relaxation layers (15) for relaxing electric field concentration at a bottom part of the element separation layer (14). The electric field relaxation layers (15) are linearly configured, and adjacent electric field relaxation layers (15) are formed at the same interval as an interval (Wd) of adjacent p-type deep layers (5) to suppress electric field entry. An interval (Wp) between electric field relaxation layers (15) protruding from the main cell area (Rm) side and electric field relaxation layers (15) protruding from the sense cell area (Rs) side is set to be not more than the interval (Wd) between the adjacent p-type deep layers (5) to suppress electric field entry.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs en carbure de silicium comprenant : une couche de séparation d'élément (14) pour séparer électriquement une zone de cellule principale (Rm) et une zone de cellule de détection (Rs) ; et des couches de relaxation de champ électrique (15) pour relâcher la concentration de champ électrique au niveau d'une partie inférieure de la couche de séparation d'éléments (14). Les couches de relaxation de champ électrique (15) sont conçues linéairement, et des couches de relaxation de champ électrique adjacentes (15) sont formées au même intervalle qu'un intervalle (Wd) de couches profondes de type p (5) adjacentes pour supprimer l'entrée de champ électrique. Un intervalle (Wp) entre des couches de relaxation de champ électrique (15) faisant saillie à partir du côté de la zone de cellule principale (Rm) et des couches de relaxation de champ électrique (15) faisant saillie à partir de la zone de cellule de détection (Rs) côté est réglé de façon à ne pas dépasser l'intervalle (Wd) entre les couches profondes de type p (5) adjacentes pour supprimer l'entrée de champ électrique.
(JA) メインセル領域(Rm)とセンスセル領域(Rs)の間を電気的に分離するように素子分離層(14)を備えつつ、素子分離層(14)の底部において電界集中が緩和されるように電界緩和層(15)を備える。また、電界緩和層(15)を直線状で構成し、隣り合う電界緩和層(15)を隣り合うp型ディープ層(5)の間隔(Wd)と同じ間隔で形成し、電界の入り込みを抑制する。さらに、メインセル領域(Rm)側から突き出した電界緩和層(15)とセンスセル領域(Rs)側から突き出した電界緩和層(15)との間においても、両者の間隔(Wp)を隣り合うp型ディープ層(5)の間隔(Wd)以下にし、電界の入り込みを抑制する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)