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1. (WO2018139279) ÉLÉMENT DE CAPTURE D'IMAGE À SEMICONDUCTEUR ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
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N° de publication : WO/2018/139279 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/001088
Date de publication : 02.08.2018 Date de dépôt international : 17.01.2018
CIB :
H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 31/02 (2006.01) ,H04N 5/355 (2011.01) ,H04N 5/374 (2011.01) ,H04N 9/07 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02
Détails
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5
Détails des systèmes de télévision
30
Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335
utilisant des capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS] 
351
Réglage du capteur SSIS en fonction de la scène, p.ex. luminosité ou mouvement dans la scène
355
Réglage de la gamme dynamique
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5
Détails des systèmes de télévision
30
Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335
utilisant des capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS] 
369
architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
374
Capteurs adressés, p.ex. capteurs MOS ou CMOS
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
9
Détails des systèmes de télévision en couleurs
04
Générateurs de signaux d'image
07
avec une seule tête de lecture
Déposants :
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Inventeurs :
鈴木 亮司 SUZUKI Ryoji; JP
Mandataire :
西川 孝 NISHIKAWA Takashi; JP
稲本 義雄 INAMOTO Yoshio; JP
Données relatives à la priorité :
2017-01431230.01.2017JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGE-CAPTURE ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT DE CAPTURE D'IMAGE À SEMICONDUCTEUR ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像素子、および電子機器
Abrégé :
(EN) The present technology relates to a solid-state image-capture element for enabling an increase in a signal charge amount Qs that can be accumulated in each pixel, and to an electronic device. A solid-state image-capture element according to a first aspect of the present technology is provided with: a photoelectric conversion portion formed on a pixel by pixel basis; and an inter-pixel separation portion for separating the photoelectric conversion portion of each pixel. The inter-pixel separation portion has a projection shaped to protrude on the photoelectric conversion portion side. The present technology may be applied in a backside illuminated CMOS image sensor, for example.
(FR) La présente invention concerne un élément de capture d'image à semiconducteurs pour permettre une augmentation d'une quantité de charge de signal Qs qui peut être accumulée dans chaque pixel, et un dispositif électronique. Un élément de capture d'image à semiconducteur selon un premier aspect de la présente invention comprend : une partie de conversion photoélectrique formée sur une base de pixel par pixel; et une partie de séparation inter-pixels pour séparer la partie de conversion photoélectrique de chaque pixel. La partie de séparation inter-pixels a une saillie formée pour faire saillie sur le côté de la partie de conversion photoélectrique. La présente invention peut par exemple être appliquée à un capteur d'image CMOS rétroéclairé.
(JA) 本技術は、各画素が蓄積できる信号電荷量Qsを増加させることができるようにする固体撮像素子、および電子機器に関する。 本技術の第1の側面である固体撮像素子は、画素毎に形成されている光電変換部と、各画素の前記光電変換部を分離する画素間分離部とを備え、前記画素間分離部は、前記光電変換部側に突出した形状の突起部を有する。本技術は、例えば、裏面照射型CMOSイメージセンサに適用できる。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)