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1. (WO2018139249) ÉLÉMENT MAGNÉTORÉSISTIF ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'ÉLÉMENT MAGNÉTORÉSISTIF
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N° de publication : WO/2018/139249 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/000917
Date de publication : 02.08.2018 Date de dépôt international : 16.01.2018
CIB :
G11B 5/39 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01) ,H01L 43/10 (2006.01) ,H01L 43/12 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
B
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION BASÉ SUR UN MOUVEMENT RELATIF ENTRE LE SUPPORT D'ENREGISTREMENT ET LE TRANSDUCTEUR
5
Enregistrement par magnétisation ou démagnétisation d'un support d'enregistrement; Reproduction par des moyens magnétiques; Supports d'enregistrement correspondants
127
Structure ou fabrication des têtes, p.ex. têtes à variation d'induction
33
Structure ou fabrication de têtes sensibles à un flux
39
utilisant des dispositifs magnétorésistifs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08
Résistances commandées par un champ magnétique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
10
Emploi de matériaux spécifiés
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
12
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou le traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
国立大学法人東北大学 TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 宮城県仙台市青葉区片平二丁目1番1号 2-1-1, Katahira, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577, JP
コニカミノルタ株式会社 KONICA MINOLTA, INC. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番2号 2-7-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1007015, JP
Inventeurs :
安藤 康夫 ANDO, Yasuo; JP
大兼 幹彦 OOGANE, Mikihiko; JP
藤原 耕輔 FUJIWARA, Kosuke; JP
城野 純一 JONO, Junichi; JP
関根 孝二郎 SEKINE, Koujirou; JP
土田 匡章 TSUCHIDA, Masaaki; JP
Mandataire :
特許業務法人光陽国際特許事務所 KOYO INTERNATIONAL PATENT FIRM; 東京都千代田区有楽町一丁目1番3号 東京宝塚ビル17階 17F., Tokyo Takarazuka Bldg., 1-1-3, Yurakucho, Chiyoda-ku, Tokyo 1000006, JP
Données relatives à la priorité :
2017-01020124.01.2017JP
Titre (EN) MAGNETORESISTIVE ELEMENT, AND PRODUCTION METHOD FOR MAGNETORESISTIVE ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT MAGNÉTORÉSISTIF ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'ÉLÉMENT MAGNÉTORÉSISTIF
(JA) 磁気抵抗素子及び磁気抵抗素子の製造方法
Abrégé :
(EN) The purposes of the present invention are to effectively achieve protection by way of a cap layer, reduce adverse effects caused by the cap layer, and achieve desired magnetoresistance characteristics, when forming a magnetoresistance effect film. This production method includes: a first step (fig. 4 (column b) and (column c)) for processing, into a prescribed shape, a layered film including a magnetoresistance effect film 4 having a resistance which changes in accordance with the magnetic field, and a cap layer 40 which is disposed above the magnetoresistance effect film, and which has a thickness in the range of 10-60 nm; a second step (fig. 4 (d)) in which the layered film is coated with an insulating film 61 to be protected thereby; a third step (fig. 4 (column e)) in which reactive etching is used to form openings in the insulating film, to expose the surface of the cap layer in the openings; a fourth step (fig. 4 (column f)) in which the surface of the cap layer exposed in the openings as a result of the third step is subjected to ion milling, and the cap layer is etched by an amount less than the total thickness of the cap layer; and a fifth step (fig. 4 (column g)) in which an upper layer (51) forming a part of a component is formed so as to be in contact with the surface of the cap layer remaining after the fourth step.
(FR) La présente invention vise à obtenir efficacement une protection au moyen d'une couche d'encapsulation, à réduire les effets secondaires provoqués par la couche d'encapsulation, et à obtenir des caractéristiques de magnétorésistance souhaitées, lors de la formation d'un film à effet de magnétorésistance. Ce procédé de production comprend : une première étape (fig. 4 (colonne b) et (colonne c)) pour traiter, selon une forme prescrite, un film en couches comprenant un film à effet de magnétorésistance (4) comportant une résistance qui change en fonction du champ magnétique, et une couche d'encapsulation (40) qui est disposée au-dessus du film à effet de magnétorésistance, et qui comporte une épaisseur comprise entre 10 et 60 nm ; une seconde étape (fig. 4 (d)) dans laquelle le film en couches est recouvert d'un film isolant (61) de manière à être protégé par celui-ci, une troisième étape (fig. 4 (colonne e)) dans laquelle une gravure réactive est utilisée pour former des ouvertures dans le film isolant, afin d'exposer la surface de la couche d'encapsulation dans les ouvertures ; une quatrième étape (fig. 4 (colonne f)) dans laquelle la surface de la couche d'encapsulation exposée dans les ouvertures du fait de la troisième étape est soumise à un broyage ionique, et la couche d'encapsulation est gravée selon une quantité inférieure à l'épaisseur totale de la couche d'encapsulation ; et une cinquième étape (fig. 4 (colonne g)) dans laquelle une couche supérieure (51) formant une partie d'un composant est formée de façon à être en contact avec la surface de la couche d'encapsulation restante après la quatrième étape.
(JA) 磁気抵抗効果膜を形成するにあたり、キャップ層による保護を効果的に図るとともに同キャップ層による悪影響を低減し、所望の磁気抵抗特性を達成する。本製造方法は、磁場により抵抗を変化させる磁気抵抗効果膜4と、該磁気抵抗効果膜の上層の厚さ10nmから60nmの範囲内のキャップ層40とを含む積層膜を所定の形状に加工する第1工程(図4(欄b)( 欄c))と、前記積層膜を絶縁膜61で被覆保護する第2工程(図4(d))と、反応性エッチングにより前記絶縁膜に開口を形成して当該開口に前記キャップ層の表面を露出させる第3工程(図4(欄e))と、第3工程により開口に露出したキャップ層の表面に対しイオンミリングを行って、当該キャップ層をその全膜厚に満たない範囲でエッチングする第4工程(図4(欄f))と、第4工程後に残ったキャップ層の表面に接して製品の一部となる上部層(51)を成膜する第5工程(図4(欄g))とを含む。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)