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1. (WO2018139188) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ÉLÉMENT DE CAPTURE D'IMAGE À SEMICONDUCTEUR ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
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N° de publication : WO/2018/139188 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/000232
Date de publication : 02.08.2018 Date de dépôt international : 10.01.2018
CIB :
H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 21/822 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01) ,H01L 27/04 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3205
Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768
Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522
comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5
Détails des systèmes de télévision
30
Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335
utilisant des capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS] 
369
architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
Déposants :
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Inventeurs :
高橋 洋 TAKAHASHI Hiroshi; JP
Mandataire :
西川 孝 NISHIKAWA Takashi; JP
稲本 義雄 INAMOTO Yoshio; JP
Données relatives à la priorité :
2017-01005324.01.2017JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, SOLID-STATE IMAGE PICKUP ELEMENT, AND ELECTRONIC APPARATUS
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ÉLÉMENT DE CAPTURE D'IMAGE À SEMICONDUCTEUR ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 半導体装置および製造方法、固体撮像素子、並びに電子機器
Abrégé :
(EN) The present technology relates to: a semiconductor device enabling to suppress breakage of a side wall insulating film due to charge damage, and to suppress a short-circuit that could have been occurred between a semiconductor substrate and a through electrode; a method for manufacturing the semiconductor device; a solid-state image pickup element; and an electronic apparatus. The semiconductor device according to one aspect of the present technology is provided with: a first semiconductor substrate, in which a predetermined circuit is formed; a second semiconductor substrate bonded to the first semiconductor substrate; and a through electrode that electrically connects the first semiconductor substrate and the second semiconductor substrate to each other. The through electrode is formed by opening a through hole by penetrating a protection diode structure formed in the first semiconductor substrate, depositing an insulating film on the side wall of the through hole, and applying an electrode material to the inner side of the through hole on which the insulating film is deposited. This technology can be applied to, for instance, CMOS image sensors.
(FR) La présente invention concerne : un dispositif à semiconducteur permettant d'empêcher la rupture d'un film d'isolation de paroi latérale en raison d'un endommagement de charge, et pour empêcher un court-circuit qui pourrait avoir été produit entre un substrat semiconducteur et une électrode traversante; un procédé de fabrication du dispositif à semiconducteur; un élément de capture d'image à semiconducteur; et un appareil électronique. Selon un aspect de la présente invention, le dispositif à semiconducteur comprend : un premier substrat semiconducteur, sur lequel est formé un circuit prédéterminé; un second substrat semiconducteur lié au premier substrat semiconducteur; et une électrode traversante qui connecte électriquement le premier substrat semiconducteur et le second substrat semiconducteur l'un à l'autre. L'électrode traversante est formée par ouverture d'un trou traversant par pénétration d'une structure de diode de protection formée sur le premier substrat semiconducteur, déposer un film d'isolation sur la paroi latérale du trou traversant, et appliquer un matériau d'électrode sur le côté interne du trou traversant sur lequel le film isolant est déposé. La présente invention peut être appliquée, par exemple, à des capteurs d'image CMOS.
(JA) 本技術は、チャージダメージによる側壁絶縁膜の破壊を抑えて半導体基板と貫通電極間に生じ得ていた短絡を抑止できるようにする半導体装置および製造方法、固体撮像素子、並びに電子機器に関する。 本技術の一側面である半導体装置は、所定の回路が形成されている第1半導体基板と、前記第1半導体基板と貼り合わされた第2半導体基板と、前記第1半導体基板と前記第2半導体基板とを電気的に接続する貫通電極とを備え、前記貫通電極は、前記第1半導体基板内に形成されている保護ダイオード構造を貫いてスルーホールが開口され、前記スルーホールの側壁に絶縁膜が堆積され、前記絶縁膜が堆積されている前記スルーホール内側に電極材が充填されて形成されている。本技術は、例えば、CMOSイメージセンサに適用できる。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)