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1. (WO2018139187) DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGES À SEMI-CONDUCTEURS, SON PROCÉDÉ DE COMMANDE ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
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N° de publication : WO/2018/139187 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/000231
Date de publication : 02.08.2018 Date de dépôt international : 10.01.2018
CIB :
H04N 5/357 (2011.01) ,H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/3745 (2011.01)
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5
Détails des systèmes de télévision
30
Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335
utilisant des capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS] 
357
Traitement du bruit, p.ex. détection, correction, réduction ou élimination du bruit
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5
Détails des systèmes de télévision
30
Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335
utilisant des capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS] 
369
architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
374
Capteurs adressés, p.ex. capteurs MOS ou CMOS
3745
ayant des composants supplémentaires incorporés au sein d'un pixel ou connectés à un groupe de pixels au sein d'une matrice de capteurs, p.ex. mémoires, convertisseurs A/N, amplificateurs de pixels, circuits communs ou composants communs
Déposants :
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目１４番１号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Inventeurs :
松村　勇佑 MATSUMURA Yusuke; JP
Mandataire :
西川　孝 NISHIKAWA Takashi; JP
稲本　義雄 INAMOTO Yoshio; JP
Données relatives à la priorité :
2017-01005224.01.2017JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGE CAPTURING DEVICE, METHOD FOR DRIVING SAME, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGES À SEMI-CONDUCTEURS, SON PROCÉDÉ DE COMMANDE ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像装置およびその駆動方法、並びに電子機器
Abrégé :
(EN) This technology relates to a solid-state image capturing device, a method for driving the same, and an electronic device for allowing the transfer performance to be enhanced while maintaining the degree of layout freedom. A solid-state image capturing device according to the present invention is provided with: pixels having PDs and transfer transistors for transferring the charges on the PDs; FDs for storing the charges from the transfer transistors and converting the charges into voltages; source-grounded amplifier transistors for reading out the voltages of the FDs as signals; and a driving circuit for driving the pixels. When charge is transferred by the transfer transistor of a pixel, the driving circuit applies an intermediate voltage to a prescribed transistor that is disposed in the vicinity of the FD and that is electrically connecting to the FD. This technology can be applied to CMOS image sensors.
(FR) La présente invention concerne un dispositif de capture d'images à semi-conducteurs, son procédé de commande, et un dispositif électronique permettant d'améliorer les performances de transfert tout en maintenant le degré de liberté de disposition. Un dispositif de capture d'images à semi-conducteurs selon la présente invention comprend : des pixels comportant des PD et des transistors de transfert servant à transférer les charges sur les PD; des FD servant à accumuler les charges provenant des transistors de transfert et à convertir les charges en tensions; des transistors d'amplificateurs à source-mise à la terre servant à lire les tensions des FD en tant que signaux; et un circuit de commande destiné à commander les pixels. Lorsque la charge est transférée par le transistor de transfert d'un pixel, le circuit de commande applique une tension intermédiaire à un transistor prédéfini qui est disposé à proximité du FD et qui est connecté électriquement au FD. Cette technologie peut s'appliquer à des capteurs d'images à CMOS.
(JA) 本技術は、レイアウトの自由度を保ちつつ、転送特性を向上させることができるようにする固体撮像装置およびその駆動方法、並びに電子機器に関する。 固体撮像装置は、ＰＤおよびＰＤの電荷を転送する転送トランジスタを有する画素と、転送トランジスタからの電荷を蓄積し電圧に変換するＦＤと、ＦＤの電圧を信号として読み出すソース接地型の増幅トランジスタと、画素を駆動する駆動回路とを備える。駆動回路は、画素の転送トランジスタによる電荷転送時に、ＦＤの近傍に配置され、ＦＤに電気的に接続される所定のトランジスタに中間電圧を印加する。本技術は、CMOSイメージセンサに適用することができる。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)