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1. (WO2018139092) RÉSONATEUR
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N° de publication : WO/2018/139092 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/044787
Date de publication : 02.08.2018 Date de dépôt international : 13.12.2017
CIB :
H03H 9/22 (2006.01) ,G11B 5/39 (2006.01) ,H01L 29/82 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9
Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
22
Détails de réalisation de résonateurs se composant de matériau magnétostrictif
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
B
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION BASÉ SUR UN MOUVEMENT RELATIF ENTRE LE SUPPORT D'ENREGISTREMENT ET LE TRANSDUCTEUR
5
Enregistrement par magnétisation ou démagnétisation d'un support d'enregistrement; Reproduction par des moyens magnétiques; Supports d'enregistrement correspondants
127
Structure ou fabrication des têtes, p.ex. têtes à variation d'induction
33
Structure ou fabrication de têtes sensibles à un flux
39
utilisant des dispositifs magnétorésistifs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
82
commandés par la variation du champ magnétique appliqué au dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08
Résistances commandées par un champ magnétique
Déposants :
TDK株式会社 TDK CORPORATION [JP/JP]; 東京都中央区日本橋二丁目5番1号 2-5-1, Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo 1036128, JP
Inventeurs :
出川 直通 DEGAWA Naomichi; JP
原 晋治 HARA Shinji; JP
伊藤 邦恭 ITO Kuniyasu; JP
大田 実 OTA Minoru; JP
小村 英嗣 KOMURA Eiji; JP
Mandataire :
星宮 勝美 HOSHIMIYA Katsumi; JP
城澤 達哉 SHIROSAWA Tatsuya; JP
伊藤 進 ITOH Susumu; JP
Données relatives à la priorité :
2017-01019524.01.2017JP
Titre (EN) RESONATOR
(FR) RÉSONATEUR
(JA) 共振器
Abrégé :
(EN) A resonator 1 is provided with a magnetoresistive effect element 2, an external magnetic field application unit 3, and an energy-imparting unit 4. The magnetoresistive effect element 2 includes: a magnetization fixed layer 21 having magnetization in a first direction; a magnetization free layer 23 having magnetization for which the direction changes; and a spacer layer 22 placed between the magnetization fixed layer 21 and the magnetization free layer 23. The external magnetic field application unit 3 applies an external magnetic field of a second direction to the magnetization free layer 23. The energy-imparting unit 4 imparts to the magnetoresistive effect element 2 energy for vibrating the magnetization of the magnetization free layer 23. The angle formed by the second direction with respect to the first direction is in the range of 90-150°.
(FR) La présente invention concerne un résonateur (1) pourvu d'un élément à effet magnétorésistif (2), d'une unité d'application de champ magnétique externe (3), et d'une unité de transmission d'énergie (4). L'élément à effet magnétorésistif (2) comprend : une couche fixe de magnétisation (21) ayant une magnétisation dans une première direction; une couche libre de magnétisation (23) ayant une magnétisation dont la direction varie; et une couche d'espacement (22) disposée entre la couche fixe de magnétisation (21) et la couche libre de magnétisation (23). L'unité d'application de champ magnétique externe (3) applique un champ magnétique externe d'une seconde direction sur la couche libre de magnétisation (23). L'unité de transmission d'énergie (4) transmet à l'élément à effet magnétorésistif (2) de l'énergie destinée à faire vibrer la magnétisation de la couche libre de magnétisation (23). L'angle formé par la seconde direction par rapport à la première direction se situe dans la plage de 90° à 150°.
(JA) 共振器1は、磁気抵抗効果素子2と、外部磁界印加部3と、エネルギ付与部4を備えている。磁気抵抗効果素子2は、第1の方向の磁化を有する磁化固定層21と、方向が変化する磁化を有する磁化自由層23と、磁化固定層21と磁化自由層23の間に配置されたスペーサ層22を含んでいる。外部磁界印加部3は、磁化自由層23に対して、第2の方向の外部磁界を印加する。エネルギ付与部4は、磁化自由層23の磁化を振動させるためのエネルギを磁気抵抗効果素子2に付与する。第2の方向が第1の方向に対してなす角度は、90°~150°の範囲内である。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)