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1. (WO2018139027) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2018/139027 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/042179
Date de publication : 02.08.2018 Date de dépôt international : 24.11.2017
CIB :
H01L 29/06 (2006.01) ,H01L 29/41 (2006.01) ,H01L 29/47 (2006.01) ,H01L 29/872 (2006.01)
Déposants : FUJI ELECTRIC CO., LTD.[JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530, JP
Inventeurs : OZAKI Daisuke; JP
KAWANO Ryouichi; JP
Mandataire : RYUKA IP LAW FIRM; 22F, Shinjuku L Tower, 1-6-1, Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo 1631522, JP
Données relatives à la priorité :
2017-01170425.01.2017JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abrégé : front page image
(EN) Provided is a semiconductor device comprising an active portion and a terminal structure portion. The active portion is disposed on a semiconductor substrate. The terminal structure portion is disposed at a terminal on an upper surface side of the semiconductor substrate to relax an electric field at the terminal. An electric field distribution on the upper surface side of the terminal structure portion may be such that, when a rated voltage is applied, the electric field at an end on the active portion is smaller than a maximum value of the electric field distribution on the upper surface side. The electric field distribution in the terminal structure portion may have a maximum peak of electric field on an edge side opposite the active portion rather than at the center of the terminal structure portion.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant une partie active et une partie structure de borne. La partie active est disposée sur un substrat semi-conducteur. La partie structure de borne se trouve au niveau d'une borne sur un côté de surface supérieure du substrat semi-conducteur de manière à relaxer un champ électrique au niveau de la borne. Une distribution de champ électrique sur le côté de surface supérieure de la partie structure de borne peut être telle que, lors de l'application d'une tension nominale, le champ électrique au niveau d'une extrémité sur la partie active est inférieur à une valeur maximale de la distribution de champ électrique sur le côté de surface supérieure. La distribution de champ électrique dans la partie de structure de borne peut présenter un pic maximal de champ électrique sur un côté de bord opposé à la partie active plutôt qu'au centre de la partie structure de borne.
(JA) 活性部および終端構造部を備える半導体装置を提供する。半導体基板に設けられた活性部と、半導体基板のおもて面側の終端に設けられ、終端の電界を緩和する終端構造部とを備える半導体装置を提供する。終端構造部のおもて面側の電界分布は、定格電圧印加時に、活性部側の端部の電界がおもて面側の電界分布の最大値よりも小さくなっていてよい。また、終端構造部の電界分布は、終端構造部の中心よりも、活性部と反対のエッジ側に電界の最大ピークを有してよい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)