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1. (WO2018138851) PHOTODÉTECTEUR À SEMI-CONDUCTEURS

Pub. No.:    WO/2018/138851    International Application No.:    PCT/JP2017/002834
Publication Date: Fri Aug 03 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Jan 27 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 27/14
H01L 31/10
Applicants: TOHOKU UNIVERSITY
国立大学法人東北大学
SHIMADZU CORPORATION
株式会社島津製作所
Inventors: SUGAWA, Shigetoshi
須川 成利
KURODA, Rihito
黒田 理人
KARASAWA, Tomohiro
柄澤 朋宏
HIROSE, Ryuta
廣瀬 竜太
FURUMIYA, Tetsuo
古宮 哲夫
MORIYA, Naoji
森谷 直司
Title: PHOTODÉTECTEUR À SEMI-CONDUCTEURS
Abstract:
L’invention concerne un photodétecteur à semi-conducteurs (10) qui comprend une couche fonctionnelle (13) possédant une pluralité de régions ayant des caractéristiques d'interférence différentes, et qui est conçue pour réduire l'influence de l'interférence par regroupement des différentes caractéristiques d'interférence.