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1. (WO2018138603) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE INCLUANT LE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2018/138603 N° de la demande internationale : PCT/IB2018/050296
Date de publication : 02.08.2018 Date de dépôt international : 18.01.2018
CIB :
G09G 3/20 (2006.01) ,G06N 3/063 (2006.01) ,H01L 21/822 (2006.01) ,H01L 27/04 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H04N 5/66 (2006.01)
G PHYSIQUE
09
ENSEIGNEMENT; CRYPTOGRAPHIE; PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; SCEAUX
G
DISPOSITIONS OU CIRCUITS POUR LA COMMANDE DE L'AFFICHAGE UTILISANT DES MOYENS STATIQUES POUR PRÉSENTER UNE INFORMATION VARIABLE
3
Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques
20
pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
N
SYSTÈMES DE CALCULATEURS BASÉS SUR DES MODÈLES DE CALCUL SPÉCIFIQUES
3
Systèmes de calculateurs basés sur des modèles biologiques
02
utilisant des modèles de réseaux neuronaux
06
Réalisation physique, c. à d. mise en oeuvre matérielle de réseaux neuronaux, de neurones ou de parties de neurones
063
utilisant des moyens électroniques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5
Détails des systèmes de télévision
66
Transformation de l'information électrique en information lumineuse
Déposants :
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase Atsugi-shi, Kanagawa 2430036, JP
Inventeurs :
KUROKAWA, Yoshiyuki; JP
IKEDA, Takayuki; JP
INOUE, Tatsunori; JP
Données relatives à la priorité :
2017-01193926.01.2017JP
2017-02671916.02.2017JP
2017-03167223.02.2017JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE INCLUANT LE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé :
(EN) A semiconductor device with a small circuit area that consumes low power is provided. The semiconductor device includes a shift register, a sample-and-hold circuit, a first buffer circuit, and a second buffer circuit. The sample-and-hold circuit includes a first input terminal, a second input terminal, and an output terminal. An output terminal of the first buffer circuit is electrically connected to the first input terminal. The shift register is electrically connected to the second input terminal. An input terminal of the second buffer circuit is electrically connected to the output terminal of the sample-and-hold circuit. In the semiconductor device, the potential of an input analog signal is retained in the sample-and-hold circuit and the analog signal is output from an output terminal of the second buffer circuit.
(FR) La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur qui présente une petite surface de circuit et qui consomme peu d’énergie. Le dispositif semi-conducteur inclut un registre à décalage, un circuit échantillonneur-bloqueur, un premier circuit tampon et un second circuit tampon. Le circuit échantillonneur-bloqueur inclut une première borne d’entrée, une seconde borne d’entrée et une borne de sortie. Une borne de sortie du premier circuit tampon est électriquement connectée à la première borne d’entrée. Le registre à décalage est électriquement connecté à la seconde borne d’entrée. Une borne d’entrée du second circuit tampon est électriquement connectée à la borne de sortie du circuit échantillonneur-bloqueur. Dans le dispositif semi-conducteur, le potentiel d’un signal analogique d’entrée est conservé dans le circuit échantillonneur-bloqueur et le signal analogique est sorti par une borne de sortie du second circuit tampon.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)