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1. (WO2018138531) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2018/138531 N° de la demande internationale : PCT/GB2018/050259
Date de publication : 02.08.2018 Date de dépôt international : 30.01.2018
CIB :
H01S 5/34 (2006.01)
[IPC code unknown for H01S 5/34]
Déposants :
UCL BUSINESS PLC [GB/GB]; The Network Building 97 Tottenham Court Road London W1T 4TP, GB
Inventeurs :
CHEN, Siming; GB
LIAO, Mengya; GB
HUO, Suguo; GB
TANG, Mingchu; GB
WU, Jiang; GB
SEEDS, Alwyn; GB
LIU, Huiyun; GB
Mandataire :
J A KEMP & CO; GB
Données relatives à la priorité :
1701488.730.01.2017GB
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé :
(EN) Disclosed herein is a semiconductor device comprising: a silicon substrate; a germanium layer; and a buffer layer comprised of at least one layer of III-V compound, formed directly on silicon; at least one layer containing III-V compound quantum dots wherein one or more facets are formed using focused ion beam etching such that the angle between the plane of the facet is normal to the plane of growth.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semiconducteurs comprenant : un substrat de silicium ; une couche de germanium ; et une couche tampon consistant en au moins une couche de composé III-V, formée directement sur le silicium ; au moins une couche contenant des points quantiques de composé III-V, une ou plusieurs facettes étant formées à l'aide d'une gravure par faisceau d'ions focalisés de sorte que l'angle entre le plan de la facette est normal au plan de croissance.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)