WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2018138531) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/138531 N° de la demande internationale : PCT/GB2018/050259
Date de publication : 02.08.2018 Date de dépôt international : 30.01.2018
CIB :
H01S 5/34 (2006.01)
Déposants : UCL BUSINESS PLC[GB/GB]; The Network Building 97 Tottenham Court Road London W1T 4TP, GB
Inventeurs : CHEN, Siming; GB
LIAO, Mengya; GB
HUO, Suguo; GB
TANG, Mingchu; GB
WU, Jiang; GB
SEEDS, Alwyn; GB
LIU, Huiyun; GB
Mandataire : J A KEMP & CO; GB
Données relatives à la priorité :
1701488.730.01.2017GB
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN) Disclosed herein is a semiconductor device comprising: a silicon substrate; a germanium layer; and a buffer layer comprised of at least one layer of III-V compound, formed directly on silicon; at least one layer containing III-V compound quantum dots wherein one or more facets are formed using focused ion beam etching such that the angle between the plane of the facet is normal to the plane of growth.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semiconducteurs comprenant : un substrat de silicium ; une couche de germanium ; et une couche tampon consistant en au moins une couche de composé III-V, formée directement sur le silicium ; au moins une couche contenant des points quantiques de composé III-V, une ou plusieurs facettes étant formées à l'aide d'une gravure par faisceau d'ions focalisés de sorte que l'angle entre le plan de la facette est normal au plan de croissance.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)