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1. (WO2018138275) DIODE MÉTAL-ISOLANT-GRAPHÈNE
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N° de publication : WO/2018/138275 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/051976
Date de publication : 02.08.2018 Date de dépôt international : 26.01.2018
CIB :
H01L 45/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45
Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants : AMO GMBH[DE/DE]; Otto-Blumenthal-Straße 25 52074 Aachen NRW, DE
Inventeurs : WANG, Zhenxing; DE
NEUMAIER, Daniel; DE
RIBEIRO, Mário, Alberto, Oliveira; PT
Mandataire : PATENTANWÄLTE BAUER VORBERG KAYSER PARTGMBB; Goltsteinstraße 87 50968 Köln, DE
Données relatives à la priorité :
10 2017 101 575.226.01.2017DE
Titre (EN) METAL-INSULATOR-GRAPHENE DIODE
(FR) DIODE MÉTAL-ISOLANT-GRAPHÈNE
(DE) METALL-ISOLATOR-GRAPHEN DIODE
Abrégé :
(EN) The invention relates to a metal-insulator-graphene diode, comprising a metal electrode (34) having an electrode surface, comprising an insulator layer (28), which is in planar contact with the electrode surface via a first main surface (30), and a graphene layer (22), which has a contact surface (26). Said contact surface (26) is in linear contact with a second main surface (30, 32) of the insulator layer (28) located opposite the metal electrode (34). The graphene layer (22) has at least one two-dimensional monolayer. The surface plane of the graphene layer (22) runs transversely to the main surfaces (30, 32).
(FR) L'invention concerne une diode métal-isolant-graphène, composée d'une électrode métallique (34) qui présente une surface d'électrode, d'une couche d'isolant (28) qui est en contact à plat par une première surface principale (30) avec la surface d'électrode, et d'une couche de graphène (22) qui présente une surface de contact (26). Cette surface de contact (26) est en contact linéaire avec une seconde surface principale (30, 32) de la couche d'isolant (28) opposée à l'électrode métallique (34). La couche de graphène (22) présente au moins une monocouche bidimensionnelle. Le plan plat de la couche de graphène (22) s'étend transversalement aux surfaces principales (30, 32).
(DE) Die Metall- Isolator-Graphen Diode besteht aus einer Metallelektrode (34), die eine Elektrodenfläche hat, einer Isolatorschicht (28), die mit einer ersten Hauptfläche (30) in flächigem Kontakt mit der Elektrodenfläche ist, und einer Graphenschicht (22), die eine Kontaktfläche (26) hat. Diese Kontaktfläche (26) ist in linienhaftem Kontakt mit einer zweiten, der Metallelektrode (34) gegenüber liegenden Hauptfläche (30, 32) der Isolatorschicht (28). Die Graphenschicht (22) weist mindestens eine zweidimensionale Monoschicht auf. Die Flächenebene der Graphenschicht (22) verläuft quer zu den Hauptflächen (30, 32).
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)