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1. (WO2018138213) DISPOSITIF ÉMETTEUR DE RAYONNEMENT
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N° de publication : WO/2018/138213 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/051867
Date de publication : 02.08.2018 Date de dépôt international : 25.01.2018
CIB :
H01L 33/42 (2010.01) ,H01L 33/50 (2010.01) ,H01L 33/46 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36
caractérisés par les électrodes
40
Matériaux
42
Matériaux transparents
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
50
Éléments de conversion de la longueur d'onde
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
44
caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
46
Revêtement réfléchissant, p.ex. réflecteur de Bragg en diélectriques
Déposants :
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventeurs :
GÖÖTZ, Britta; DE
VON MALM, Norwin; DE
Mandataire :
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Données relatives à la priorité :
10 2017 101 729.130.01.2017DE
Titre (EN) RADIATION-EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉMETTEUR DE RAYONNEMENT
(DE) STRAHLUNGSEMITTIERENDE VORRICHTUNG
Abrégé :
(EN) The invention relates to a radiation-emitting device, comprising a semiconductor layer sequence (10) having an active layer (20) that emits a primary radiation during operation. The device also comprises a decoupling surface (11) on a surface of the semiconductor layer sequence (10), a wavelength conversion layer (30) on the side of the semiconductor layer sequence (10) facing away from the decoupling surface (11), and containing at least one conversion material converting the primary radiation into secondary radiation, and a mirror layer (40) on the side of the wavelength conversion layer (30) facing away from the semiconductor layer sequence (10). The at least one conversion material is electrically conductive and/or embedded in an electrically conductive matrix material.
(FR) L'invention concerne un dispositif émetteur de rayonnement qui comprend une succession de couches semi-conductrices (10) pourvue d'une couche active (20) qui émet un rayonnement primaire lorsque le dispositif est en fonctionnement. Le dispositif comprend en outre une face de sortie (11) sur une surface de la succession de couches semi-conductrices (10), une couche de conversion de longueur d'onde (30) sur le côté de la succession de couches semi-conductrices (10) qui est opposé à la face de sortie (11), laquelle couche contient au moins une substance de conversion qui convertit le rayonnement primaire en un rayonnement secondaire, et une couche miroir (40) sur le côté de la couche de conversion de longueur d'onde (30) qui est opposé à la succession de couches semi-conductrices (10). Ladite au moins une substance de conversion est électroconductrice et/ou incorporée dans un matériau de matrice électroconducteur.
(DE) Es wird eine strahlungsemittierende Vorrichtung angegeben, die eine Halbleiterschichtenfolge (10) mit einer aktiven Schicht (20), die im Betrieb eine Primärstrahlung emittiert, umfasst. Die Vorrichtung umfasst weiterhin eine Auskoppelfläche (11) auf einer Oberfläche der Halbleiterschichtenfolge (10), eine Wellenlängenkonversionsschicht (30) auf der von der Auskoppelfläche (11) abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge (10), die zumindest einen die Primärstrahlung in Sekundärstrahlung umwandelnden Konversionsstoff enthält, und eine Spiegelschicht (40) auf der von der Halbleiterschichtenfolge (10) abgewandten Seite der Wellenlängenkonversionsschicht (30). Der zumindest eine Konversionsstoff ist elektrisch leitfähig und/oder in einem elektrisch leitfähigen Matrixmaterial eingebettet.
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)